162 BQ30Z50

칩셋 유형92

최종 수정LIM / 20140308183201

이 칩셋을 사용하는 모델 0건 (TB_TEST_MODEL)

MODEL_ID	모델명	팩유형	셀구성
등록된 모델이 없습니다.

쓰기(Write) 기본 항목 4건 (TB_WRITE_ITEM_BASIC)

ID	항목명
1	UNSEAL1
2	UNSEAL2
3	SEAL
4	BARCODE

검사 항목 105건 (TB_TEST_ITEM)

ID	항목명	단위	기본명령	복합명령	쓰기항목	쓰기데이터	변환식
66	Maunfacturer Access	hex	Read Word	—	—	—	—
2	Seal	—	—	Seal	—	—	—
67	RCA	mAh	Read Word	—	—	—	—
3	Unseal	—	—	Unseal	—	—	—
68	RTA	min	Read Word	—	—	—	—
5	Voltage Pack(DVM)	mV	Read Voltage	—	—	—	—
69	Battery Mode	hex	Read Word	—	—	—	—
6	IR Pack	mOhm	Read IR	—	—	—	—
70	AtRate	mA	Read Word	—	—	—	—
7	IR Connector T-Pin	Ohm	Read THR(Thermistor)	—	—	—	—
71	AtRate Time To Full	min	Read Word	—	—	—	—
8	Temperature(Real)	'C	Read Temperature	—	—	—	—
72	AtRate Time To Empty	min	Read Word	—	—	—	—
9	Temperature(Pack)	'C	—	Temperature(Pack)	—	—	—
73	AtRate OK	—	Read Word	—	—	—	—
10	FET Charge On(SI)	—	FET Charge On	—	—	—	—
74	Temperature	'C	Read Word	—	—	—	—
11	FET Charge Off(SI)	—	FET Charge Off	—	—	—	—
75	Voltage Pack (SMBus)	mV	Read Word	—	—	—	—
12	FET Discharge On(SI)	—	FET Discharge On	—	—	—	—
77	Average Current	mA	Read Word	—	—	—	—
13	FET Discharge Off(SI)	—	FET Discharge Off	—	—	—	—
78	Max Error	%	Read Word	—	—	—	—
14	Charge On (Condition 1SI)	—	Charge On (Condition 1)	—	—	—	—
79	RSOC	%	Read Word	—	—	—	—
15	Charge Off (Condition 1SI)	—	Charge Off (Condition 1)	—	—	—	—
81	Remaining Capacity	mAh	Read Word	—	—	—	—
22	Delay	ms	Delay	—	—	—	—
82	FCC (mAh)	mAh	Read Word	—	—	—	—
23	Current Accuracy(Zero)	mA	Read Word	—	—	—	—
86	Charging Current	mA	Read Word	—	—	—	—
24	DisCharge On (Condition 1SI)	—	DisCharge On (Condition 1)	—	—	—	—
87	Charging Voltage	mV	Read Word	—	—	—	—
25	DisCharge Off (Condition 1SI)	—	DisCharge Off (Condition 1)	—	—	—	—
88	Battery Status	hex	Read Word	—	—	—	—
27	Voltage DCHA(Bank1)	mV	Read Word	—	—	—	—
89	Cycle Count	cyc	Read Word	—	—	—	—
28	Voltage DCHA(Bank2)	mV	Read Word	—	—	—	—
90	Design Capacity	mAh	Read Word	—	—	—	—
29	Voltage DCHA(Bank3)	mV	Read Word	—	—	—	—
91	Design Voltage	mV	Read Word	—	—	—	—
30	Voltage DCHA(Bank4)	mV	Read Word	—	—	—	—
92	Specification Info	hex	Read Word	—	—	—	—
31	Voltage CHA(Bank1)	mV	Read Word	—	—	—	—
93	Pack Manufacture Date	yymmdd	Read Word	—	—	—	—
32	Voltage CHA(Bank2)	mV	Read Word	—	—	—	—
94	Pack Serial Number	num	Read Word	—	—	—	—
33	Voltage CHA(Bank3)	mV	Read Word	—	—	—	—
95	Manufacturer Name	—	Read Block	—	—	—	—
34	Voltage CHA(Bank4)	mV	Read Word	—	—	—	—
96	Device Name	—	Read Block	—	—	—	—
35	Current Accuracy(DCHA)	mA	Read Word	—	—	—	—
98	Manufacturer Data	—	Read Block	—	—	—	—
36	Current Accuracy(CHA)	mA	Read Word	—	—	—	—
102	Voltage(Bank4)	mV	Read Word	—	—	—	—
37	Mid Tab Test	mV	—	Mid-Tab	—	—	—
103	Voltage(Bank3)	mV	Read Word	—	—	—	—
46	Voltage Accuracy(DVM-SMBus)	word	—	Voltage Accuracy(DVM-SMbus)	—	—	—
104	Voltage(Bank2)	mV	Read Word	—	—	—	—
48	Reset Device	—	Write Word	—	—	0012	—
105	Voltage(Bank1)	mV	Read Word	—	—	—	—
50	ShutDown	—	—	ShutDown	—	—	—
111	PCM Connector Vendor ID(HP)	word	Read Block	—	—	—	—
52	Voltage Difference(Bank1)	mV	—	Voltage Difference(Bank1)	—	—	—
112	PCM H/W Revision(HP)	word	Read Block	—	—	—	—
53	Voltage Difference(Bank2)	mV	—	Voltage Difference(Bank2)	—	—	—
113	PCM DF Revision(HP)	word	Read Block	—	—	—	—
54	Voltage Difference(Bank3)	mV	—	Voltage Difference(Bank3)	—	—	—
114	PCM Manufacture ID(HP)	byte	Read Block	—	—	—	—
55	Voltage Difference(Bank4)	mV	—	Voltage Difference(Bank4)	—	—	—
115	PCM Reserved Value(HP)	word	Read Block	—	—	—	—
56	Voltage Deviation(MaxV-MinV)	mV	—	Voltage Deviation(MaxV-MinV)	—	—	—
116	PCM Manufacture Date	yyyymmdd	Read Block	—	—	—	—
57	FET DCP(off.off.on)_CHA	mV	—	FET DCP(off.off.on)_CHA	—	—	—
117	PCM Serial Number	num	Read Block	—	—	—	—
58	FET DCP(off.on.off)_CHA	mV	—	FET DCP(off.on.off)_CHA	—	—	—
121	CT Label Info(Battery_HP)	byte	Read Block	—	—	—	—
59	FET DCP(on.off.off)_CHA	mV	—	FET DCP(on.off.off)_CHA	—	—	—
122	CT Label Info(Assembly Code_HP)	ascii	Read Block	—	—	—	—
61	FET DCP(off.on.off)_DCHA	mV	—	FET DCP(off.on.off)_DCHA	—	—	—
123	CT Label Info(Revision Level_HP)	ascii	Read Block	—	—	—	—
62	FET DCP(on.off.off)_DCHA	mV	—	FET DCP(on.off.off)_DCHA	—	—	—
124	CT Label Info(Supplier Site_HP)	ascii	Read Block	—	—	—	—
63	Fuse Blow MPU	hex	—	Fuse Blow MPU	—	—	—
125	CT Label Info(Date_HP)	yyyymmdd	Read Block	—	—	—	—
65	FET Control	—	—	FET Control	—	—	—
126	CT Label Info(Serial Number_HP)	num	Read Block	—	—	—	—
156	Write HP Barcode(HP)	—	—	Write H/P Barcode(HP)	—	—	—
131	CT Label Info(Null_HP)	num	Read Block	—	—	—	—
157	FW version	—	—	FW Version	—	—	—
153	Write Maunfacturer Access(0000)	hex	Write Word	—	—	0000	—
158	Chemisty ID	—	—	Chemisty ID	—	—	—
160	Barcode Info(Country of Origin_DELL)	ascii	Read Block	—	—	—	—
159	Manufacturer Status	hex	Read Block	—	—	—	—
161	Barcode Info(P/N_DELL)	ascii	Read Block	—	—	—	—
165	Write HP Barcode(DELL)	—	—	Write H/P Barcode(DELL)	—	—	—
162	Barcode Info(MFG ID_DELL)	ascii	Read Block	—	—	—	—
166	Current Sum	mA	—	Current Sum	—	—	—
163	Barcode Info(CELL_DELL)	ascii	Read Block	—	—	—	—
167	Bank1 IR	mOhm	—	Bank1 IR	—	—	—
164	Barcode Info(Verion_DELL)	ascii	Read Block	—	—	—	—
168	Bank2 IR	mOhm	—	Bank2 IR	—	—	—
169	Bank3 IR	mOhm	—	Bank3 IR	—	—	—
170	Bank4 IR	mOhm	—	Bank4 IR	—	—	—
171	Mid Tab Test D	mOhm	—	Bank IR Difference	—	—	—

복합(조합) 명령 29건 (TB_UNION_CODE_MST / DTL)

#1 Seal 명령 2단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	SEAL	—	11160000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—

#2 Unseal 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	bq30Z55_unseal	—	0123456789ABCDEFFEDCBA9876543210	12160000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—
3	Read Block	—	—	02030000	Y	—

#4 Temperature(Pack) 명령 2단계 · 쓰기 0단계 J(1)(2) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Read Temperature	—	—	20460000	Y	—
2	Read Word	—	—	01440000	Y	—

#12 Mid-Tab 명령 1단계 · 쓰기 0단계 MIDTAB(11,12,13,14,15,16,17,18,19,20) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	4NN10000	Y	—

#20 Voltage Accuracy(DVM-SMbus) 명령 2단계 · 쓰기 0단계 #(1,2) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Read Word	—	—	01340000	Y	—

#23 ShutDown 명령 3단계 · 쓰기 3단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0010	11160000	N	—
2	Write Word	—	0010	11160000	N	—
3	Delay	—	300	40N60000	N	—

#26 FET DCP(off.on.off)_CHA 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	001F	11160000	N	—
2	Delay	—	2200	40N60000	N	—
3	Read Word	—	—	01210000	Y	—

#27 FET DCP(on.off.off)_CHA 명령 5단계 · 쓰기 4단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	001F	11160000	N	—
2	Delay	—	2000	40N60000	N	—
3	Write Word	—	0020	11160000	N	—
4	Delay	—	2000	40N60000	N	—
5	Read Word	—	—	01210000	Y	—

#28 FET DCP(off.off.on)_CHA 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0022	11160000	N	—
2	Delay	—	2000	40N60000	N	—
3	Read Word	—	—	01210000	Y	—

#29 FET DCP(off.on.off)_DCHA 명령 5단계 · 쓰기 4단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	001F	11160000	N	—
2	Delay	—	2200	40N60000	N	—
3	Write Word	—	0020	11160000	N	—
4	Delay	—	2200	40N60000	N	—
5	Read Word	—	—	01210000	Y	—

#30 FET DCP(on.off.off)_DCHA 명령 5단계 · 쓰기 4단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0020	11160000	N	—
2	Delay	—	2200	4NN60000	N	—
3	Write Word	—	001F	11160000	N	—
4	Delay	—	2200	40N60000	N	—
5	Read Word	—	—	01210000	Y	—

#32 Fuse Blow MPU 명령 10단계 · 쓰기 9단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0020	11160000	N	—
2	Delay	—	500	40N60000	N	—
3	Write Word	—	001D	11160000	N	—
4	Delay	—	5000	40N60000	N	—
5	Read Block	—	—	02100104	Y	—
6	Delay	—	500	40N60000	N	—
7	Write Word	—	001D	11160000	N	—
8	Delay	—	500	40N60000	N	—
9	Write Word	—	0022	11160000	N	—
10	Delay	—	500	40N60000	N	—

#33 Voltage Difference(Bank1) 명령 2단계 · 쓰기 0단계 J(/(1,?(S)))(2) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Read Word	—	—	01340000	Y	—

#34 Voltage Difference(Bank2) 명령 2단계 · 쓰기 0단계 J(/(1,?(S)))(2) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Read Word	—	—	01340000	Y	—

#35 Voltage Difference(Bank3) 명령 2단계 · 쓰기 0단계 J(/(1,?(S)))(2) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Read Word	—	—	01340000	Y	—

#36 Voltage Difference(Bank4) 명령 2단계 · 쓰기 0단계 J(/(1,?(S)))(2) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Read Word	—	—	01340000	Y	—

#37 Voltage Deviation(MaxV-MinV) 명령 4단계 · 쓰기 0단계 #(1,2,3,4) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Read Word	—	—	01310000	Y	—
2	Read Word	—	—	01310000	Y	—
3	Read Word	—	—	01310000	Y	—
4	Read Word	—	—	01310000	Y	—

#38 FW Version 명령 5단계 · 쓰기 4단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0002	11160000	N	—
2	Delay	—	500	40N60000	N	—
3	Write Word	—	0002	11160000	N	—
4	Delay	—	500	40N60000	N	—
5	Read Block	—	—	02100302	Y	—

#39 FET Control 명령 2단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0022	11160000	N	—
2	Delay	—	2200	40N60000	N	—

#43 Chemisty ID 명령 5단계 · 쓰기 4단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0006	11160000	N	—
2	Delay	—	500	40N60000	N	—
3	Write Word	—	0006	11160000	N	—
4	Delay	—	500	40N60000	N	—
5	Read Block	—	—	02100102	Y	—

#44 Write H/P Barcode(HP) 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Block (Replace)	BARCODE	—	12060000	N	—
2	Delay	—	500	40N60000	N	—
3	Read Block	—	—	02030114	Y	—

#45 Write H/P Barcode(DELL) 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Block (Replace)	BARCODE	—	12060000	N	—
2	Delay	—	500	40N60000	N	—
3	Read Block	—	—	02030123	Y	—

#46 ITEN Flag On 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0021	11160000	N	—
2	Delay	—	1000	40N60000	N	—
3	Read Block	—	—	02100102	Y	—

#47 Current Sum 명령 2단계 · 쓰기 0단계 -(1,2) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—

#48 Bank1 IR 명령 3단계 · 쓰기 0단계 *(/(#(1,2),3),(?1000)) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—
3	Echo	—	—	44N60000	Y	—

#49 Bank2 IR 명령 3단계 · 쓰기 0단계 *(/(#(1,2),3),(?1000)) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—
3	Echo	—	—	44N60000	Y	—

#50 Bank3 IR 명령 3단계 · 쓰기 0단계 *(/(#(1,2),3),(?1000)) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—
3	Echo	—	—	44N60000	Y	—

#51 Bank4 IR 명령 3단계 · 쓰기 0단계 *(/(#(1,2),3),(?1000)) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—
3	Echo	—	—	44N60000	Y	—

#52 Bank IR Difference 명령 4단계 · 쓰기 0단계 #(1,2,3,4) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—
3	Echo	—	—	44N60000	Y	—
4	Echo	—	—	44N60000	Y	—