181 BQ30420B(EEPROM 0x64)

칩셋 유형92

최종 수정LIM / 20140308163006

이 칩셋을 사용하는 모델 0건 (TB_TEST_MODEL)

MODEL_ID	모델명	팩유형	셀구성
등록된 모델이 없습니다.

쓰기(Write) 기본 항목 8건 (TB_WRITE_ITEM_BASIC)

ID	항목명
1	UNSEAL1
2	UNSEAL2
3	SEAL
4	DEVICE_NAME_YMD
5	PPID INFO
6	Enable System
7	Disable System
8	Cancel VDQ

검사 항목 103건 (TB_TEST_ITEM)

ID	항목명	단위	기본명령	복합명령	쓰기항목	쓰기데이터	변환식
89	0x58	—	Read Block	—	—	—	—
43	Manufacturer Access	hex	Read Word	—	—	—	—
1	FET CD (on,off)_DCHA	mA	—	FET CD(on.off)_DCHG	—	—	—
90	0x59	—	Read Block	—	—	—	—
44	RCA	10mWh	Read Word	—	—	—	—
2	FET CD (on,off)_CHA	mA	—	FET CD(on.off)_CHA	—	—	—
91	0x5A	—	Read Block	—	—	—	—
45	RTA	min	Read Word	—	—	—	—
3	FET CD (off,on)_CHA	mA	—	FET CD(off.on)_CHA	—	—	—
92	0x5B	—	Read Block	—	—	—	—
46	Battery Mode	hex	Read Word	—	—	—	—
4	FET CD (off,on)_DCHA	mA	—	FET CD(off.on)_DCHG	—	—	—
93	0x5C	—	Read Block	—	—	—	—
47	At Rate	mA	Read Word	—	—	—	—
5	Fuse Blow Test	num	—	PF Detection Check	—	—	—
94	0x5D	—	Read Block	—	—	—	—
48	AtRate(Full)	min	Read Word	—	—	—	—
6	Seal	—	—	Seal	—	—	—
95	0x5E	—	Read Block	—	—	—	—
49	AtRate(Empty)	min	Read Word	—	—	—	—
7	Unseal	—	—	UnSeal	—	—	—
96	0x5F	—	Read Block	—	—	—	—
50	AtRate(OK)	—	Read Word	—	—	—	—
8	Write Device Name (DELL)	—	—	Write Device Name	—	—	—
97	0x60	—	Read Block	—	—	—	—
51	Temperature	'''C	Read Word	—	—	—	—
9	Write PPID Barcode (DELL)	ascii	—	Write PPID Info	—	—	—
98	0x61	—	Read Block	—	—	—	—
52	Voltage Pack(SMBus)	mV	Read Word	—	—	—	—
12	FET Charge On(SI)	—	FET Charge On	—	—	—	—
99	0x62	—	Read Block	—	—	—	—
54	Average Current	mA	Read Word	—	—	—	—
13	FET Charge Off(SI)	—	FET Charge Off	—	—	—	—
100	0x63	—	Read Block	—	—	—	—
55	Max Error	%	Read Word	—	—	—	—
14	FET Discharge On(SI)	—	FET Discharge On	—	—	—	—
101	0x64	—	Read Block	—	—	—	—
56	RSOC	%	Read Word	—	—	—	—
15	FET Discharge Off(SI)	—	FET Discharge Off	—	—	—	—
58	RC	mWh	Read Word	—	—	—	—
16	Charge On(Condition 1SI)	—	Charge On (Condition 1)	—	—	—	—
59	FCC (mAh)	mWh	Read Word	—	—	—	—
17	Charge Off(Condition 1SI)	—	Charge Off (Condition 1)	—	—	—	—
63	Charging Current	mA	Read Word	—	—	—	—
18	DisCharge On(Condition 1SI)	—	DisCharge On (Condition 1)	—	—	—	—
64	Charging Voltage	mV	Read Word	—	—	—	—
19	DisCharge Off(Condition 1SI)	—	DisCharge Off (Condition 1)	—	—	—	—
65	Battery Status	hex	Read Word	—	—	—	—
20	Write Manufacturer Access(0800)	hex	Write Word	—	—	0008	—
66	Cycle Count	cyc	Read Word	—	—	—	—
21	IR Pack	mOhm	Read IR	—	—	—	—
67	Design Capacity	mAh	Read Word	—	—	—	—
22	Temperature(Ref)	'C	Read Temperature	—	—	—	—
68	Design Voltage	mV	Read Word	—	—	—	—
23	Voltage Pack(DVM)	mV	Read Voltage	—	—	—	—
69	Specification Info	hex	Read Word	—	—	—	—
24	Write Manufacturer Access(0000)	hex	Write Word	—	—	0000	—
70	Pack Manufacture Date	yymmdd	Read Word	—	—	—	—
25	Voltage CHA(Bank 1)	mV	Read Word	—	—	—	—
71	Pack Serial Number	—	Read Word	—	—	—	—
26	Voltage CHA(Bank 2)	mV	Read Word	—	—	—	—
115	Pack Manufacturer Name	—	Read Block	—	—	—	—
27	Voltage CHA(Bank 3)	mV	Read Word	—	—	—	—
116	Pack Device Name	—	Read Block	—	—	—	—
102	Voltage CHA(Bank 4)	mV	Read Word	—	—	—	—
117	Pack Manufacturer Data	—	Read Block	—	—	—	—
28	Voltage DCHA(Bank 1)	mV	Read Word	—	—	—	—
79	Voltage(Bank 4)	mV	Read Word	—	—	—	—
29	Voltage DCHA(Bank 2)	mV	Read Word	—	—	—	—
80	Voltage(Bank 3)	mV	Read Word	—	—	—	—
30	Voltage DCHA(Bank 3)	mV	Read Word	—	—	—	—
81	Voltage(Bank 2)	mV	Read Word	—	—	—	—
103	Voltage DCHA(Bank 4)	mV	Read Word	—	—	—	—
82	Voltage(Bank 1)	mV	Read Word	—	—	—	—
31	Delay	ms	Delay	—	—	—	—
85	PCM Manufacturer ID	ascii	Read Block	—	—	—	—
32	Temperature(Pack)	'C	—	Temperature(Pack)	—	—	—
86	Checksum(F/W)	hex	Read Block	—	—	—	—
33	Voltage Accuracy(DVM - SMBus)	mV	—	Voltage Accuracy(DVM-SMbus)	—	—	—
87	Check Pack Status	hex	Read Word	—	—	—	—
34	Voltage Deviation(MaxV - MinV)	mV	—	Voltage Deviation(MaxV-MinV)	—	—	—
88	Pack Configuration	hex	Read Word	—	—	—	—
35	Current Accuracy (CHA)	mA	—	Current Accuracy(CHA)	—	—	—
104	Current Accuracy(Zero)	mA	Read Word	—	—	—	—
36	Mid Tab Test	mV	—	Mid-Tab	—	—	—
37	Enable System(DELL)	—	Write Word	—	Enable System	—	—
38	Check E2P Data	—	Check E2P Data	—	—	—	—
39	Current Accuracy(DCHA)	mA	—	Current Accuracy(DCHA)	—	—	—
40	System Present On	—	Sys 1 On	—	—	—	—
41	System Present Off	—	Sys 1 Off	—	—	—	—
105	FET CDP (off,off,on)_CHA	mA	—	FET CDP(off.off.on)_CHA	—	—	—
107	Write PPID Barcode(0x37_23_DELL)	ascii	—	Write PPID(0x37_23_DELL)	—	—	—
110	Clear cycle count	—	Write Word	—	—	0000	—
111	Write Pack Confi(8700)	—	Write Word	—	—	8700	—
112	Write Pack Confi(8600)	—	Write Word	—	—	8600	—
113	Write Pack Confi(8500)	—	Write Word	—	—	8500	—
114	Write Pack Confi(8200)	—	Write Word	—	—	8200	—
118	Current Sum	mA	—	Current Sum	—	—	—
119	Bank1 IR	mOhm	—	Bank1 IR	—	—	—
120	Bank2 IR	mOhm	—	Bank2 IR	—	—	—
121	Bank3 IR	mOhm	—	Bank3 IR	—	—	—
122	Bank4 IR	mOhm	—	Bank4 IR	—	—	—
123	Mid Tab Test D	mOhm	—	Bank IR Difference	—	—	—

복합(조합) 명령 23건 (TB_UNION_CODE_MST / DTL)

#1 FET CD(on.off)_DCHG 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0403	11160000	N	—
2	Delay	—	3000	40N60000	N	—
3	Read Word	—	—	01210000	Y	—

#2 FET CD(on.off)_CHA 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0403	11160000	N	—
2	Delay	—	3200	40N60000	N	—
3	Read Word	—	—	01210000	Y	—

#3 FET CD(off.on)_CHA 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0203	11160000	N	—
2	Delay	—	3000	40N60000	N	—
3	Read Word	—	—	01210000	Y	—

#4 FET CD(off.on)_DCHG 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0203	11160000	N	—
2	Delay	—	3200	40N60000	N	—
3	Read Word	—	—	01210000	Y	—

#5 PF Detection Check 명령 6단계 · 쓰기 5단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	835A	11160000	N	—
2	Delay	—	500	40N60000	N	—
3	Write Word	—	0005	11160000	N	—
4	Delay	—	1000	40N60000	N	—
5	Read Word	—	—	01510000	Y	—
6	Write Word	—	FFFF	11160000	N	—

#6 Seal 명령 2단계 · 쓰기 1단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	SEAL	—	11160000	N	—
2	Delay	—	—	40N60000	N	—

#7 UnSeal 명령 4단계 · 쓰기 4단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	UNSEAL1	—	11160000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—
3	Write Word	UNSEAL2	—	11160000	N	—
4	Delay	—	100	40N60000	N	—

#8 Write Device Name 명령 5단계 · 쓰기 4단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Block (Not Fixed 1)	DEVICE_NAME_YMD	—	12060000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—
3	Write Block (Not Fixed 1)	DEVICE_NAME_YMD	—	12060000	N	—
4	Delay	—	100	40N60000	N	—
5	Read Block	—	—	02030000	Y	—

#9 Write PPID Info 명령 5단계 · 쓰기 4단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Block (Not Fixed 2)	PPID INFO	—	12060000	N	—
2	Delay	—	1000	40N60000	N	—
3	Write Block (Not Fixed 2)	PPID INFO	—	12060000	N	—
4	Delay	—	1000	40N60000	N	—
5	Read Block	—	—	02030000	Y	—

#10 Voltage Accuracy(DVM-SMbus) 명령 2단계 · 쓰기 0단계 #(1,2) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Read Word	—	—	01340000	Y	—

#11 Voltage Deviation(MaxV-MinV) 명령 4단계 · 쓰기 0단계 #(1,2,3,4) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—
3	Echo	—	—	44N60000	Y	—
4	Echo	—	—	44N10000	Y	—

#12 Mid-Tab 명령 1단계 · 쓰기 0단계 MIDTAB(11,12,13,14,15,16,17,18,19,20) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	4NN10000	Y	—

#13 Temperature(Pack) 명령 2단계 · 쓰기 0단계 J(1)(2) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Read Temperature	—	—	20460000	Y	—
2	Read Word	—	—	01440000	Y	—

#14 Current Accuracy(CHA) 명령 2단계 · 쓰기 1단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Delay	—	1000	40N60000	N	—
2	Read Word	—	—	01210000	Y	—

#15 Current Accuracy(DCHA) 명령 2단계 · 쓰기 1단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Delay	—	1000	40N60000	N	—
2	Read Word	—	—	01210000	Y	—

#17 FET CDP(off.off.on)_CHA 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0103	11160000	N	—
2	Delay	—	5000	40N60000	N	—
3	Read Word	—	—	01210000	Y	—

#19 Write PPID(0x37_23_DELL) 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Block (Replace)	DEVICE_NAME_YMD	—	12060000	N	—
2	Delay	—	500	40N60000	N	—
3	Read Block	—	—	02030123	Y	—

#23 Current Sum 명령 2단계 · 쓰기 0단계 -(1,2) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—

#24 Bank1 IR 명령 3단계 · 쓰기 0단계 *(/(#(1,2),3),(?1000)) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—
3	Echo	—	—	44N60000	Y	—

#25 Bank2 IR 명령 3단계 · 쓰기 0단계 *(/(#(1,2),3),(?1000)) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—
3	Echo	—	—	44N60000	Y	—

#26 Bank3 IR 명령 3단계 · 쓰기 0단계 *(/(#(1,2),3),(?1000)) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—
3	Echo	—	—	44N60000	Y	—

#27 Bank4 IR 명령 3단계 · 쓰기 0단계 *(/(#(1,2),3),(?1000)) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—
3	Echo	—	—	44N60000	Y	—

#28 Bank IR Difference 명령 4단계 · 쓰기 0단계 #(1,2,3,4) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—
3	Echo	—	—	44N60000	Y	—
4	Echo	—	—	44N60000	Y	—