182 BQ20Z45

칩셋 유형92

최종 수정LIM / 20140311101740

이 칩셋을 사용하는 모델 0건 (TB_TEST_MODEL)

MODEL_ID	모델명	팩유형	셀구성
등록된 모델이 없습니다.

쓰기(Write) 기본 항목 4건 (TB_WRITE_ITEM_BASIC)

ID	항목명
1	UNSEAL1
2	UNSEAL2
3	SEAL
4	BARCODE

검사 항목 109건 (TB_TEST_ITEM)

ID	항목명	단위	기본명령	복합명령	쓰기항목	쓰기데이터	변환식
1	Maunfacturer Access	hex	Read Word	—	—	—	—
56	Manufacture Status(0006)	hex	—	Manufacture Status(0006)	—	—	—
2	RCA	10mWh	Read Word	—	—	—	—
57	Seal	—	—	Seal	—	—	—
3	RTA	min	Read Word	—	—	—	—
58	Unseal	—	—	Unseal	—	—	—
4	Battery Mode	hex	Read Word	—	—	—	—
59	Manufacturer Name	—	Read Block	—	—	—	—
5	AtRate	mA	Read Word	—	—	—	—
60	Voltage Pack(DVM)	mV	Read Voltage	—	—	—	—
6	AtRate Time To Full	min	Read Word	—	—	—	—
61	IR Pack	mOhm	Read IR	—	—	—	—
7	AtRate Time To Empty	min	Read Word	—	—	—	—
62	IR Connector T-Pin	Ohm	Read THR(Thermistor)	—	—	—	—
8	AtRate OK	—	Read Word	—	—	—	—
63	Temperature(Ref)	'C	Read Temperature	—	—	—	—
9	Temperature	'C	Read Word	—	—	—	—
64	Temperature(Pack)	'C	—	Temperature(Pack)	—	—	—
10	Voltage	mV	Read Word	—	—	—	—
65	FET Charge On(SI)	—	FET Charge On	—	—	—	—
12	Average Current	mA	Read Word	—	—	—	—
66	FET Charge Off(SI)	—	FET Charge Off	—	—	—	—
13	Max Error	%	Read Word	—	—	—	—
67	FET Discharge On(SI)	—	FET Discharge On	—	—	—	—
14	RSOC	%	Read Word	—	—	—	—
68	FET Discharge Off(SI)	—	FET Discharge Off	—	—	—	—
16	RC	mAh	Read Word	—	—	—	—
69	Charge On (Condition 1SI)	—	Charge On (Condition 1)	—	—	—	—
17	FCC (mAh)	mAh	Read Word	—	—	—	—
70	Charge Off (Condition 1SI)	—	Charge Off (Condition 1)	—	—	—	—
21	Charging Current	mA	Read Word	—	—	—	—
71	FET DCP(off.off.on)_CHA	mV	—	FET DCP(off.off.on)_CHA	—	—	—
22	Charging Voltage	mV	Read Word	—	—	—	—
72	FET DCP(off.on.off)_CHA	mV	—	FET DCP(off.on.off)_CHA	—	—	—
23	Battery Status	hex	Read Word	—	—	—	—
73	FET DCP(on.off.off)_CHA	mV	—	FET DCP(on.off.off)_CHA	—	—	—
24	Cycle Count	cyc	Read Word	—	—	—	—
75	FET DCP(off.on.off)_DCHA	mV	—	FET DCP(off.on.off)_DCHA	—	—	—
25	Design Capacity	mAh	Read Word	—	—	—	—
76	FET DCP(on.off.off)_DCHA	mV	—	FET DCP(on.off.off)_DCHA	—	—	—
26	Design Voltage	mV	Read Word	—	—	—	—
77	Delay	ms	Delay	—	—	—	—
27	Specification Info	hex	Read Word	—	—	—	—
78	Current Accuracy(Zero)	mA	Read Word	—	—	—	—
28	Manufacture Date	yymmdd	Read Word	—	—	—	—
79	DisCharge On (Condition 1SI)	—	DisCharge On (Condition 1)	—	—	—	—
29	Serial Number	num	Read Word	—	—	—	—
80	DisCharge Off (Condition 1SI)	—	DisCharge Off (Condition 1)	—	—	—	—
30	Manufacturer Name	—	Read Block	—	—	—	—
82	Voltage DCHA(Bank1)	mV	Read Word	—	—	—	—
31	Device Name	—	Read Block	—	—	—	—
83	Voltage DCHA(Bank2)	mV	Read Word	—	—	—	—
33	Manufacturer Data	—	Read Block	—	—	—	—
84	Voltage DCHA(Bank3)	mV	Read Word	—	—	—	—
37	Voltage(Bank4)	mV	Read Word	—	—	—	—
85	Voltage DCHA(Bank4)	mV	Read Word	—	—	—	—
38	Voltage(Bank3)	mV	Read Word	—	—	—	—
86	Voltage CHA(Bank1)	mV	Read Word	—	—	—	—
39	Voltage(Bank2)	mV	Read Word	—	—	—	—
87	Voltage CHA(Bank2)	mV	Read Word	—	—	—	—
40	Voltage(Bank1)	mV	Read Word	—	—	—	—
88	Voltage CHA(Bank3)	mV	Read Word	—	—	—	—
53	PCM F/W Version	word	Read Block	—	—	—	—
89	Voltage CHA(Bank4)	mV	Read Word	—	—	—	—
54	PCM DF Type Version	word	Read Block	—	—	—	—
90	Current Accuracy(DCHA)	mA	Read Word	—	—	—	—
55	PCM Cell Revision	word	Read Block	—	—	—	—
91	Current Accuracy(CHA)	mA	Read Word	—	—	—	—
111	Read CT Label Info(Null)	num	Read Block	—	—	—	—
92	Mid Tab Test	mV	—	Mid-Tab	—	—	—
112	PCM Connector Vendor ID(HP)	word	Read Block	—	—	—	—
93	Voltage Difference(Bank1)	mV	—	Voltage Difference(Bank1)	—	—	—
113	PCM H/W Version	word	Read Block	—	—	—	—
94	Voltage Difference(Bank2)	mV	—	Voltage Difference(Bank2)	—	—	—
114	PCM DF Version	word	Read Block	—	—	—	—
95	Voltage Difference(Bank3)	mV	—	Voltage Difference(Bank3)	—	—	—
115	PCM Manufacture ID	byte	Read Block	—	—	—	—
96	Voltage Difference(Bank4)	mV	—	Voltage Difference(Bank4)	—	—	—
116	PCM Reserved Value	word	Read Block	—	—	—	—
97	Write HP Barcode	—	—	Write HP Barcode	—	—	—
117	PCM Manufacture Date	yyyymmdd	Read Block	—	—	—	—
98	LED Check	—	—	LED Check	—	—	—
118	PCM Serial Number	num	Read Block	—	—	—	—
168	All Led On	—	Write Word	—	—	0032	—
121	Read CT label info(B0)	ascii	Read Block	—	—	—	—
105	All Led Off	—	Write Word	—	—	0033	—
122	Read CT label info(B1~B4)	ascii	Read Block	—	—	—	—
110	Voltage Deviation(MaxV-MinV)	mV	—	Voltage Deviation(MaxV-MinV)	—	—	—
123	Read CT label info(B5~B6)	ascii	Read Block	—	—	—	—
120	Chemistry ID	word	—	Chemistry ID	—	—	—
124	Read CT label info(B7~B8)	ascii	Read Block	—	—	—	—
127	Fuse Blow MPU	hex	—	Fuse Blow MPU	—	—	—
125	Read CT label info(B9~B10)	yyyymmdd	Read Block	—	—	—	—
174	Check Fuse Blow MPU(0x53)	—	Read Word	—	—	—	—
126	Read CT label info(B11~B13)	ascii	Read Block	—	—	—	—
128	Reset	—	Write Word	—	—	0041	—
167	Maunfacturer Access(write)	hex	Write Word	—	—	0000	—
130	ShutDown	—	—	ShutDown	—	—	—
131	FET DC(off.off)	—	—	FET DC(off.off)	—	—	—
170	Write HP Barcode	—	—	Write HP Barcode	—	—	—
171	Voltage Accuracy(DVM - SMBus)	—	—	Voltage Accuracy(DVM-SMBus)	—	—	—
173	PF Clear	—	—	PF Clear	—	—	—
176	FW Version	—	—	FW Version	—	—	—
177	Current Sum	—	—	Current Sum	—	—	—
178	Bank1 IR	—	—	Bank1 IR	—	—	—
179	Bank2 IR	—	—	Bank2 IR	—	—	—
180	Bank3 IR	—	—	Bank3 IR	—	—	—
181	Bank4 IR	—	—	Bank4 IR	—	—	—
182	Mid Tab Test D	—	—	Bank IR Difference	—	—	—

복합(조합) 명령 31건 (TB_UNION_CODE_MST / DTL)

#1 Seal 명령 2단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	SEAL	—	11160000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—

#2 Unseal 명령 4단계 · 쓰기 4단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	UNSEAL1	—	11160000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—
3	Write Word	UNSEAL2	—	11160000	N	—
4	Delay	—	100	40N60000	N	—

#3 Manufacture Status(0006) 명령 2단계 · 쓰기 1단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0006	11160000	N	—
2	Read Word	—	—	01100000	Y	—

#4 Temperature(Pack) 명령 2단계 · 쓰기 0단계 J(1)(2) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Read Temperature	—	—	20460000	Y	—
2	Read Word	—	—	01440000	Y	—

#5 FET DCP(off.on.off)_CHA 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0004	11160000	N	—
2	Delay	—	2200	40N60000	N	—
3	Read Word	—	—	01210000	Y	—

#6 FET DCP(on.off.off)_CHA 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0002	11160000	N	—
2	Delay	—	2200	40N60000	N	—
3	Read Word	—	—	01210000	Y	—

#7 FET DCP(off.off.on)_CHA 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0008	11160000	N	—
2	Delay	—	2000	40N60000	N	—
3	Read Word	—	—	01210000	Y	—

#8 FET DCP(off.on.off)_DCHA 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0004	11160000	N	—
2	Delay	—	2200	40N60000	N	—
3	Read Word	—	—	01210000	Y	—

#9 FET DCP(on.off.off)_DCHA 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0002	11160000	N	—
2	Delay	—	2250	40N60000	N	—
3	Read Word	—	—	01210000	Y	—

#12 Mid-Tab 명령 1단계 · 쓰기 0단계 MIDTAB(11,12,13,14,15,16,17,18,19,20) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	4NN10000	Y	—

#13 Voltage Difference(Bank1) 명령 2단계 · 쓰기 0단계 J(/(1,?(S)))(2) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Read Word	—	—	01340000	Y	—

#14 Voltage Difference(Bank2) 명령 2단계 · 쓰기 0단계 J(/(1,?(S)))(2) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Read Word	—	—	01340000	Y	—

#15 Voltage Difference(Bank3) 명령 2단계 · 쓰기 0단계 J(/(1,?(S)))(2) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Read Word	—	—	01340000	Y	—

#16 Voltage Difference(Bank4) 명령 2단계 · 쓰기 0단계 J(/(1,?(S)))(2) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Read Word	—	—	01340000	Y	—

#17 LED Check 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0032	11160000	N	—
2	Micom Pause	—	—	41N00000	Y	—
3	Write Word	—	0033	11160000	N	—

#18 Write HP Barcode 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Block (Replace)	BARCODE	—	12060000	N	—
2	Delay	—	500	40N60000	N	—
3	Read Block	—	—	02030114	Y	—

#19 Voltage Deviation(MaxV-MinV) 명령 4단계 · 쓰기 0단계 #(1,2,3,4) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Read Word	—	—	01310000	Y	—
2	Read Word	—	—	01310000	Y	—
3	Read Word	—	—	01310000	Y	—
4	Read Word	—	—	01310000	Y	—

#20 Chemistry ID 명령 2단계 · 쓰기 1단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0008	11110000	N	—
2	Read Word	—	—	01130000	Y	—

#21 Fuse Blow MPU 명령 14단계 · 쓰기 13단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0000	11160000	N	—
2	Delay	—	500	40N60000	N	—
3	Write Word	—	0030	11160000	N	—
4	Delay	—	5000	40N60000	N	—
5	Read Word	—	—	01100000	Y	—
6	Delay	—	500	40N60000	N	—
7	Write Word	—	0031	11160000	N	—
8	Delay	—	500	40N60000	N	—
9	Write Word	—	2673	11160000	N	—
10	Delay	—	500	40N60000	N	—
11	Write Word	—	1712	11160000	N	—
12	Delay	—	500	40N60000	N	—
13	Write Word	—	0006	11160000	N	—
14	Delay	—	500	40N60000	N	—

#23 ShutDown 명령 3단계 · 쓰기 3단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0010	11160000	N	—
2	Delay	—	500	4NN60000	N	—
3	Write Word	—	0010	1NN60000	N	—

#24 FET DC(off.off) 명령 2단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0000	11160000	N	—
2	Delay	—	500	40N60000	N	—

#41 Write HP Barcode 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Block (Replace)	BARCODE	—	12060000	N	—
2	Delay	—	500	40N60000	N	—
3	Read Block	—	—	02030115	Y	—

#42 Voltage Accuracy(DVM-SMBus) 명령 2단계 · 쓰기 0단계 #(1,2) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Read Word	—	—	01310000	Y	—

#44 PF Clear 명령 4단계 · 쓰기 4단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	2673	11160000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—
3	Write Word	—	1712	11160000	N	—
4	Delay	—	100	40N60000	N	—

#45 FW Version 명령 2단계 · 쓰기 1단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0002	11160000	N	—
2	Read Word	—	—	01130000	Y	—

#46 Current Sum 명령 2단계 · 쓰기 0단계 -(1,2) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—

#47 Bank1 IR 명령 3단계 · 쓰기 0단계 *(/(#(1,2),3),(?1000)) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—
3	Echo	—	—	4NN60000	Y	—

#48 Bank2 IR 명령 3단계 · 쓰기 0단계 *(/(#(1,2),3),(?1000)) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—
3	Echo	—	—	44N60000	Y	—

#49 Bank3 IR 명령 3단계 · 쓰기 0단계 *(/(#(1,2),3),(?1000)) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—
3	Echo	—	—	44N60000	Y	—

#50 Bank4 IR 명령 3단계 · 쓰기 0단계 *(/(#(1,2),3),(?1000)) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—
3	Echo	—	—	44N60000	Y	—

#51 Bank IR Difference 명령 4단계 · 쓰기 0단계 #(1,2,3,4) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—
3	Echo	—	—	44N60000	Y	—
4	Echo	—	—	44N60000	Y	—