381 BQ28420

칩셋 유형92

최종 수정xinhua yin / 20120508190707

이 칩셋을 사용하는 모델 0건 (TB_TEST_MODEL)

MODEL_ID	모델명	팩유형	셀구성
등록된 모델이 없습니다.

쓰기(Write) 기본 항목 8건 (TB_WRITE_ITEM_BASIC)

ID	항목명
1	UNSEAL1
2	UNSEAL2
3	SEAL
4	DEVICE_NAME_YMD
5	PPID INFO
6	Enable System
7	Disable System
8	Cancel VDQ

검사 항목 141건 (TB_TEST_ITEM)

ID	항목명	단위	기본명령	복합명령	쓰기항목	쓰기데이터	변환식
99	0x00	—	Write Word	—	—	0100	—
43	Manufacturer Access	hex	Read Word	—	—	—	—
1	FET CD (on,off)_DCHA	mA	—	FET CD(on.off)_DCHA	—	—	—
100	0x2F	—	Read Block	—	—	—	—
44	RCA	10mWh	Read Word	—	—	—	—
2	FET CD (on,off)_CHA	mA	—	FET CD(on.off)_CHA	—	—	—
101	0x00	—	Write Word	—	—	0101	—
45	RTA	min	Read Word	—	—	—	—
3	FET CD (off,on)_CHA	mA	—	FET CD(off.on)_CHA	—	—	—
102	0x2F	—	Read Block	—	—	—	—
46	Battery Mode	hex	Read Word	—	—	—	—
4	FET CD (off,on)_DCHA	mA	—	FET CD(off.on)_DCHA	—	—	—
103	0x00	—	Write Word	—	—	0102	—
47	At Rate	mA	Read Word	—	—	—	—
6	Seal	—	—	Seal	—	—	—
104	0x2F	—	Read Block	—	—	—	—
48	AtRate(Full)	min	Read Word	—	—	—	—
7	Unseal	—	—	UnSeal	—	—	—
105	0x00	—	Write Word	—	—	0103	—
49	AtRate(Empty)	min	Read Word	—	—	—	—
8	Write Device Name(DELL)	—	—	Write Device Name	—	—	—
106	0x2F	—	Read Block	—	—	—	—
50	AtRate(OK)	—	Read Word	—	—	—	—
9	Write PPID Barcode(DELL)	ascii	—	Write PPID Info	—	—	—
107	0x00	—	Write Word	—	—	0104	—
51	Temperature	'''C	Read Word	—	—	—	—
12	FET Charge On(SI)	—	FET Charge On	—	—	—	—
108	0x2F	—	Read Block	—	—	—	—
52	Voltage Accuracy(SMBus)	mV	Read Word	—	—	—	—
13	FET Charge Off(SI)	—	FET Charge Off	—	—	—	—
109	0x00	—	Write Word	—	—	0105	—
54	Average Current	mA	Read Word	—	—	—	—
14	FET Discharge On(SI)	—	FET Discharge On	—	—	—	—
110	0x2F	—	Read Block	—	—	—	—
55	Max Error	%	Read Word	—	—	—	—
15	FET Discharge Off(SI)	—	FET Discharge Off	—	—	—	—
111	0x00	—	Write Word	—	—	0106	—
56	RSOC	%	Read Word	—	—	—	—
16	Charge On (Condition 1SI)	—	Charge On (Condition 1)	—	—	—	—
112	0x2F	—	Read Block	—	—	—	—
58	RC	mWh	Read Word	—	—	—	—
17	Charge Off (Condition 1SI)	—	Charge Off (Condition 1)	—	—	—	—
113	0x00	—	Write Word	—	—	0107	—
59	FCC (mAh)	mWh	Read Word	—	—	—	—
18	DisCharge On (Condition 1SI)	—	DisCharge On (Condition 1)	—	—	—	—
114	0x2F	—	Read Block	—	—	—	—
63	Charging Current	mA	Read Word	—	—	—	—
19	DisCharge Off (Condition 1SI)	—	DisCharge Off (Condition 1)	—	—	—	—
115	0x00	—	Write Word	—	—	0108	—
64	Charging Voltage	mV	Read Word	—	—	—	—
20	Write Manufacturer Access(0800)	hex	Write Word	—	—	0008	—
116	0x2F	—	Read Block	—	—	—	—
65	Battery Status	hex	Read Word	—	—	—	—
21	IR Pack	mOhm	Read IR	—	—	—	—
117	0x00	—	Write Word	—	—	0109	—
66	Cycle Count	cyc	Read Word	—	—	—	—
22	Temperature(Ref)	'C	Read Temperature	—	—	—	—
118	0x2F	—	Read Block	—	—	—	—
67	Design Capacity	mAh	Read Word	—	—	—	—
23	Voltage Pack(DVM)	mV	Read Voltage	—	—	—	—
119	0x00	—	Write Word	—	—	010A	—
68	Design Voltage	mV	Read Word	—	—	—	—
24	Write Manufacturer Access(0000)	hex	Write Word	—	—	0000	—
120	0x2F	—	Read Block	—	—	—	—
69	Specification Info	hex	Read Word	—	—	—	—
25	Voltage CHA(Bank1)	mV	Read Word	—	—	—	—
121	0x00	—	Write Word	—	—	010B	—
70	Pack Manufacture Date	yymmdd	Read Word	—	—	—	—
26	Voltage CHA(Bank2)	mV	Read Word	—	—	—	—
122	0x2F	—	Read Block	—	—	—	—
71	Pack Serial Number	—	Read Word	—	—	—	—
27	Voltage CHA(Bank3)	mV	Read Word	—	—	—	—
123	0x00	—	Write Word	—	—	010C	—
72	Pack Manufacturer Name	—	Read Block	—	—	—	—
151	Voltage CHA(Bank4)	mV	Read Word	—	—	—	—
124	0x2F	—	Read Block	—	—	—	—
73	Pack Device Name	—	Read Block	—	—	—	—
28	Voltage DCHA(Bank1)	mV	Read Word	—	—	—	—
125	0x00	—	Write Word	—	—	010D	—
75	Pack Manufacture Data	—	Read Block	—	—	—	—
29	Voltage DCHA(Bank2)	mV	Read Word	—	—	—	—
126	0x2F	—	Read Block	—	—	—	—
79	Voltage(Bank 4)	mV	Read Word	—	—	—	—
30	Voltage DCHA(Bank3)	mV	Read Word	—	—	—	—
127	0x00	—	Write Word	—	—	010E	—
80	Voltage(Bank 3)	mV	Read Word	—	—	—	—
152	Voltage DCHA(Bank4)	mV	Read Word	—	—	—	—
128	0x2F	—	Read Block	—	—	—	—
81	Voltage(Bank 2)	mV	Read Word	—	—	—	—
31	Delay	ms	Delay	—	—	—	—
129	0x00	—	Write Word	—	—	010F	—
82	Voltage(Bank 1)	mV	Read Word	—	—	—	—
32	Temperature(Pack)	'C	—	Temperature(Pack)	—	—	—
130	0x2F	—	Read Block	—	—	—	—
85	PCM Manufacturer ID	ascii	Read Block	—	—	—	—
33	Voltage Accuracy(DVM-SMBus)	mV	—	Voltage Accuracy(DVM-SMBus)	—	—	—
131	0x00	—	Write Word	—	—	0110	—
87	Check Pack Status	hex	Read Word	—	—	—	—
34	Voltage Deviation(MaxV-MinV)	mV	—	Voltage Deviation(MaxV-MinV)	—	—	—
132	0x2F	—	Read Block	—	—	—	—
88	Pack Configuration	hex	Read Word	—	—	—	—
35	Current Accuracy(CHA)	%	—	Current Accuracy(CHA)	—	—	—
133	0x00	—	Write Word	—	—	0111	—
36	Mid Tab Test	mV	—	Mid-Tab	—	—	—
134	0x2F	—	Read Block	—	—	—	—
37	Enable System (DELL)	—	Write Word	—	Enable System	—	—
135	0x00	—	Write Word	—	—	0112	—
38	Check E2P Data	—	Check E2P Data	—	—	—	—
136	0x2F	—	Read Block	—	—	—	—
39	Current Accuracy(DCHA)	%	—	Current Accuracy(DCHA)	—	—	—
137	0x00	—	Write Word	—	—	0113	—
40	System Present On	—	Sys 1 On	—	—	—	—
138	0x2F	—	Read Block	—	—	—	—
41	System Present Off	—	Sys 1 Off	—	—	—	—
139	0x00	—	Write Word	—	—	0114	—
90	Current Accuracy (Zero)	mA	Read Word	—	—	—	—
140	0x2F	—	Read Block	—	—	—	—
91	FET CD(on.on)	—	—	FET CD(on .on)	—	—	—
141	0x00	—	Write Word	—	—	0115	—
94	FW Version	hex	—	FW Version	—	—	—
142	0x2F	—	Read Block	—	—	—	—
95	Fuse Blow TEST	hex	—	PF Detection Check(BQ28420)	—	—	—
143	0x00	—	Write Word	—	—	0116	—
153	Write Pack Confi(8700)	—	Write Word	—	—	8700	—
144	0x2F	—	Read Block	—	—	—	—
154	Clear Cycle Count	—	Write Word	—	—	0000	—
145	0x00	—	Write Word	—	—	0117	—
155	Check PF Status	—	Read Word	—	—	—	—
146	0x2F	—	Read Block	—	—	—	—
156	Check PF Alert	—	Read Word	—	—	—	—
147	0x00	—	Write Word	—	—	0118	—
157	FET CD(off.off)	—	—	FET CD(off.off)	—	—	—
148	0x2F	—	Read Block	—	—	—	—
158	Current Sum	mA	—	Current Sum	—	—	—
149	0x00	—	Write Word	—	—	0119	—
159	Bank1 IR	mOhm	—	Bank1 IR	—	—	—
150	0x2F	—	Read Block	—	—	—	—
160	Bank2 IR	mOhm	—	Bank2 IR	—	—	—
161	Bank3 IR	mOhm	—	Bank3 IR	—	—	—
162	Bank4 IR	mOhm	—	Bank4 IR	—	—	—
163	Mid Tab Test D	mOhm	—	Bank IR Difference	—	—	—

복합(조합) 명령 24건 (TB_UNION_CODE_MST / DTL)

#1 FET CD(on.off)_DCHA 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0004	11160000	N	—
2	Delay	—	3000	40N60000	N	—
3	Read Word	—	—	01210000	Y	—

#2 FET CD(on.off)_CHA 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0004	11160000	N	—
2	Delay	—	3200	40N60000	N	—
3	Read Word	—	—	01210000	Y	—

#3 FET CD(off.on)_CHA 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0002	11160000	N	—
2	Delay	—	3000	40N60000	N	—
3	Read Word	—	—	01210000	Y	—

#4 FET CD(off.on)_DCHA 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0002	11160000	N	—
2	Delay	—	3200	40N60000	N	—
3	Read Word	—	—	01210000	Y	—

#6 Seal 명령 2단계 · 쓰기 1단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	SEAL	—	11160000	N	—
2	Delay	—	—	40N60000	N	—

#7 UnSeal 명령 4단계 · 쓰기 4단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	UNSEAL1	—	11160000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—
3	Write Word	UNSEAL2	—	11160000	N	—
4	Delay	—	100	40N60000	N	—

#8 Write Device Name 명령 5단계 · 쓰기 4단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Block (Not Fixed 1)	DEVICE_NAME_YMD	—	12060000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—
3	Write Block (Not Fixed 1)	DEVICE_NAME_YMD	—	12060000	N	—
4	Delay	—	100	40N60000	N	—
5	Read Block	—	—	02030000	Y	—

#9 Write PPID Info 명령 5단계 · 쓰기 4단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Block (Not Fixed 2)	PPID INFO	—	12060000	N	—
2	Delay	—	1000	40N60000	N	—
3	Write Block (Not Fixed 2)	PPID INFO	—	12060000	N	—
4	Delay	—	1000	40N60000	N	—
5	Read Block	—	—	02030000	Y	—

#10 Voltage Accuracy(DVM-SMBus) 명령 2단계 · 쓰기 0단계 #(1,2) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Read Word	—	—	01340000	Y	—

#11 Voltage Deviation(MaxV-MinV) 명령 4단계 · 쓰기 0단계 #(1,2,3,4) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—
3	Echo	—	—	44N60000	Y	—
4	Echo	—	—	44N10000	Y	—

#12 Mid-Tab 명령 1단계 · 쓰기 0단계 MIDTAB(11,12,13,14,15,16,17,18,19,20) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	4NN10000	Y	—

#13 Temperature(Pack) 명령 2단계 · 쓰기 0단계 J(1)(2) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Read Temperature	—	—	20460000	Y	—
2	Read Word	—	—	01440000	Y	—

#14 Current Accuracy(CHA) 명령 2단계 · 쓰기 1단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Delay	—	1000	40N60000	N	—
2	Read Word	—	—	01210000	Y	—

#15 Current Accuracy(DCHA) 명령 2단계 · 쓰기 1단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Delay	—	1000	40N60000	N	—
2	Read Word	—	—	01210000	Y	—

#16 FET CD(off.off) 명령 1단계 · 쓰기 1단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0006	11160000	N	—
2	Delay	—	500	40N60000	N	—

#18 FET CD(on .on) 명령 2단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0006	11160000	N	—
2	Delay	—	500	40N00000	N	—

#21 FW Version 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0002	11160000	N	—
2	Delay	—	1000	40N60000	N	—
3	Read Word	—	—	01100000	Y	—

#22 PF Detection Check(BQ28420) 명령 10단계 · 쓰기 9단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0000	11160000	N	—
2	Delay	—	500	40N60000	N	—
3	Write Word	—	0030	11160000	N	—
4	Delay	—	2500	40N60000	N	—
5	Read Word	—	—	01100000	Y	—
6	Delay	—	500	40N60000	N	—
7	Write Word	—	0031	11160000	N	—
8	Delay	—	1000	40N60000	N	—
9	Write Word	—	0002	11160000	N	—
10	Delay	—	1500	40N60000	N	—

#23 Current Sum 명령 2단계 · 쓰기 0단계 -(1,2) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—

#24 Bank1 IR 명령 3단계 · 쓰기 0단계 *(/(#(1,2),3),(?1000)) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—
3	Echo	—	—	4NN60000	Y	—

#25 Bank2 IR 명령 3단계 · 쓰기 0단계 *(/(#(1,2),3),(?1000)) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—
3	Echo	—	—	44N60000	Y	—

#26 Bank3 IR 명령 3단계 · 쓰기 0단계 *(/(#(1,2),3),(?1000)) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—
3	Echo	—	—	44N60000	Y	—

#27 Bank4 IR 명령 3단계 · 쓰기 0단계 *(/(#(1,2),3),(?1000)) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—
3	Echo	—	—	44N60000	Y	—

#28 Bank IR Difference 명령 4단계 · 쓰기 0단계 #(1,2,3,4) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—
3	Echo	—	—	44N60000	Y	—
4	Echo	—	—	44N60000	Y	—