422 BQ40Z50

칩셋 유형92

최종 수정LDNghia / 20160602115139

이 칩셋을 사용하는 모델 0건 (TB_TEST_MODEL)

MODEL_ID	모델명	팩유형	셀구성
등록된 모델이 없습니다.

쓰기(Write) 기본 항목 3건 (TB_WRITE_ITEM_BASIC)

ID	항목명
1	BARCODE
2	CT_Label
3	Today_W

검사 항목 102건 (TB_TEST_ITEM)

ID	항목명	단위	기본명령	복합명령	쓰기항목	쓰기데이터	변환식
2	Manufacture Access	—	Read Word	—	—	—	—
1	Unseal	—	—	unseal	—	—	—
3	Pack Manufacture Date	yyyymmdd	Read Word	—	—	—	—
12	Chemistry ID	—	—	Chemistry ID	—	—	—
4	PCM Manufacture Date	yyyymmdd	Read Block	—	—	—	—
15	FET CD (on,off)_DCHA	mA	—	FET CD (on,off)_DCHA	—	—	—
17	Pack Serial Number	—	Read Word	—	—	—	—
16	FET CD (off,on)_CHA	mA	—	FET CD (off,on)_CHA	—	—	—
18	PCM Serial Number	—	Read Block	—	—	—	—
52	F/W Version	—	—	F/W Version	—	—	—
5	Delay	—	Delay	—	—	—	—
55	Shutdown	—	—	Shutdown	—	—	—
6	DisCharge Off(Condition 1SI)	—	DisCharge Off (Condition 1)	—	—	—	—
62	Current Sum	mA	—	Current Sum	—	—	—
7	DisCharge On(Condition 1SI)	—	DisCharge On (Condition 1)	—	—	—	—
63	Bank IR 1	—	—	Bank IR 1	—	—	—
8	Charge On(Condition 1SI)	—	Charge On (Condition 1)	—	—	—	—
64	Bank IR 2	—	—	Bank IR 2	—	—	—
9	Charge Off(Condition 1SI)	—	Charge Off (Condition 1)	—	—	—	—
65	Bank IR 3	—	—	Bank IR 3	—	—	—
10	Wakeup ON	—	Wakeup On	—	—	—	—
66	Mid Tab Test-D	mR	—	Mid Tab Test-D	—	—	—
11	Wakeup OFF	—	Wakeup Off	—	—	—	—
69	Voltage Accuracy (DVM - SMBus)	—	—	Voltage Accuracy (DVM - SMBus)	—	—	—
13	FET Charge Off	—	FET Charge Off	—	—	—	—
70	Voltage Deviation (MaxV - MinV)	—	—	Voltage Deviation (MaxV - MinV)	—	—	—
14	FET Charge On	—	FET Charge On	—	—	—	—
73	Temperature Pack	'C	—	Temperature Pack	—	—	—
19	PCM Connector Vendor ID	—	Read Block	—	—	—	—
74	Enable FETcontrol	—	—	Enable FETcontrol	—	—	—
20	PCM H/W Version	—	Read Block	—	—	—	—
76	Instruction Flash Signature	—	—	Instruction Flash Signature	—	—	—
21	PCM DF Version	—	Read Block	—	—	—	—
77	Static DF Signature	—	—	Static DF Signature	—	—	—
22	PCM Manufacturer ID	—	Read Block	—	—	—	—
78	Static Chem DF Signature	—	—	Static Chem DF Signature	—	—	—
23	PCM Reserved Value	—	Read Block	—	—	—	—
80	Check Seal	—	—	Check Seal	—	—	—
24	Pack Manufacturer Name	—	Read Block	—	—	—	—
81	FET CD (off,off)_CHA	—	—	FET CD (off,off)_CHA	—	—	—
25	Voltage (Bank 1)	—	Read Word	—	—	—	—
82	FET CD (off,off)_DCHA	—	—	FET CD (off,off)_DCHA	—	—	—
26	Voltage (Bank 2)	—	Read Word	—	—	—	—
83	SEAL	—	—	SEAL	—	—	—
27	Voltage (Bank 3)	—	Read Word	—	—	—	—
85	Read H/P Barcode (CT Lable)	—	—	Read H/P Barcode (CT Lable)	—	—	—
28	Voltage Pack (SMBus)	—	Read Word	—	—	—	—
86	Write H/P Barcode (CT Lable)	—	—	Write H/P Barcode (CT Lable)	—	—	—
29	Voltage CHA (Bank 1)	—	Read Word	—	—	—	—
89	Read IR Pack	—	Read IR	—	—	—	—
30	Voltage CHA (Bank 2)	—	Read Word	—	—	—	—
92	Current Accuracy (CHA)	—	—	Current Accuracy (CHA)	—	—	—
31	Voltage CHA (Bank 3)	—	Read Word	—	—	—	—
93	Current Accuracy (DCHA)	—	—	Current Accuracy (DCHA)	—	—	—
32	Voltage DCHA (Bank 1)	—	Read Word	—	—	—	—
94	Cancel PF	—	—	Cancel PF	—	—	—
33	Voltage DCHA (Bank 2)	—	Read Word	—	—	—	—
95	Current 0A	—	—	Current 0A	—	—	—
34	Voltage DCHA (Bank 3)	—	Read Word	—	—	—	—
96	Current_10mA	—	—	Current_10mA	—	—	—
36	CT Label Info (Battery)	—	Read Block	—	—	—	—
97	Pack date write	—	—	Pack date write	—	—	—
37	CT Label Info (Assembly Code)	—	Read Block	—	—	—	—
98	IR Pack	—	—	IR Pack	—	—	—
38	CT Label Info (Revision Level)	—	Read Block	—	—	—	—
99	Temperature (Ref)	—	Read Temperature	—	—	—	—
39	CT Label Info (Supplier Site)	—	Read Block	—	—	—	—
100	Mis Tab Test	mV	—	Mid Tab Test	—	—	—
40	CT Label Info (Null)	—	Read Block	—	—	—	—
102	Temperature (Ref)	—	—	Temp fix	—	—	—
42	Current Accuracy (Zero)	mA	Read Word	—	—	—	—
103	Temperature Pack	—	—	Temperature Pack(F)	—	—	—
44	Current Accuracy (CHA)	mA	Read Word	—	—	—	—
45	Current Accuracy (DCHA)	mA	Read Word	—	—	—	—
46	Cycle Count	num	Read Word	—	—	—	—
47	FCC (mAh)	mAh	Read Word	—	—	—	—
48	RSOC	%	Read Word	—	—	—	—
49	At Rate	—	Read Word	—	—	—	—
50	RCA	—	Read Word	—	—	—	—
51	RTA	—	Read Word	—	—	—	—
56	FET DisCharge On(SI)	—	FET Discharge On	—	—	—	—
57	Voltage Pack (DVM)	mV	Read Voltage	—	—	—	—
58	FET DisCharge Off(SI)	—	FET Discharge Off	—	—	—	—
59	FET Charge On(SI)	—	FET Charge On	—	—	—	—
60	FET Charge Off(SI	—	FET Charge Off	—	—	—	—
71	Temperature (Ref)	'C	Read Temperature	—	—	—	—
72	IR Pack	mOhm	Read IR	—	—	—	—
75	check Flag FET	—	Read Block	—	—	—	—
79	Manufacturing Status	—	Read Block	—	—	—	—
84	Max Error	—	Read Word	—	—	—	—
87	Check Seal BQ40Z50	—	Read Word	—	—	—	—
90	Write cycle count TI	—	Write Word	—	—	1	—
91	Temperature - Ref [Thormistor]	—	Read THR(Thermistor)	—	—	—	—
101	Set SMB CLock (50Khz)	—	Set SMB Clock	—	—	—	—
104	DisCharge Off(Condition 1SI)_2	—	DisCharge Off (Condition 2)	—	—	—	—
105	DisCharge On(Condition 1SI)_2	—	DisCharge On (Condition 2)	—	—	—	—
106	Charge On(Condition 1SI)_2	—	Charge On (Condition 2)	—	—	—	—
107	Charge Off(Condition 1SI)_2	—	Charge Off (Condition 2)	—	—	—	—
108	DisCharge Off(Condition 1SI)_3	—	DisCharge Off (Condition 3)	—	—	—	—
109	DisCharge On(Condition 1SI)_3	—	DisCharge On (Condition 3)	—	—	—	—
110	Charge On(Condition 1SI)_3	—	Charge On (Condition 3)	—	—	—	—
111	Charge Off(Condition 1SI)_3	—	Charge Off (Condition 3)	—	—	—	—

복합(조합) 명령 35건 (TB_UNION_CODE_MST / DTL)

#1 unseal 명령 3단계 · 쓰기 3단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0414	11160000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—
3	Write Word	—	3672	11160000	N	—

#3 Chemistry ID 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Block	—	0600	13110000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—
3	Read Block	—	—	02100000	Y	—

#4 FET CD (on,off)_DCHA 명령 3단계 · 쓰기 2단계 (1) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	001F	11160000	N	—
2	Delay	—	2000	40N60000	N	—
3	Read Word	—	—	01210000	Y	—

#5 FET CD (off,on)_CHA 명령 5단계 · 쓰기 4단계 (1) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	001F	11160000	N	—
2	Delay	—	500	40N60000	N	—
3	Write Word	—	0020	11160000	N	—
4	Delay	—	2000	40N60000	N	—
5	Read Word	—	—	01210000	Y	—

#6 F/W Version 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0002	11100000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—
3	Read Block	—	—	02100302	Y	—

#7 Shutdown 명령 4단계 · 쓰기 4단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0010	11160000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—
3	Write Word	—	0010	11160000	N	—
4	Delay	—	100	40N60000	N	—

#8 Mid Tab Test-D 명령 3단계 · 쓰기 0단계 #(1,2,3) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—
3	Echo	—	—	44N60000	Y	—

#9 Bank IR 1 명령 3단계 · 쓰기 0단계 *(/(#(1,2),3),?(1000)) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—
3	Echo	—	—	44N60000	Y	—

#10 Bank IR 2 명령 3단계 · 쓰기 0단계 *(/(#(1,2),3),?(1000)) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—
3	Echo	—	—	44N60000	Y	—

#11 Bank IR 3 명령 3단계 · 쓰기 0단계 *(/(#(1,2),3),?(1000)) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—
3	Echo	—	—	44N60000	Y	—

#12 Current Sum 명령 2단계 · 쓰기 0단계 -(1,2) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—

#13 Voltage Accuracy (DVM - SMBus) 명령 2단계 · 쓰기 0단계 #(1,2) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Read Voltage	—	—	20110000	Y	—

#14 Voltage Deviation (MaxV - MinV) 명령 3단계 · 쓰기 0단계 #(1,2,3) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—
3	Echo	—	—	44N60000	Y	—

#15 Temperature Pack 명령 2단계 · 쓰기 0단계 J(1)(2) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Read Word	—	—	01440000	Y	—

#16 Enable FETcontrol 명령 2단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0022	11160000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—

#17 Instruction Flash Signature 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Block	—	0400	12110000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—
3	Read Block	—	—	02100000	Y	—

#18 Static DF Signature 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Block	—	0500	12110000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—
3	Read Block	—	—	02100000	Y	—

#19 Static Chem DF Signature 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Block	—	0800	12110000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—
3	Read Block	—	—	02100000	Y	—

#20 Check Seal 명령 1단계 · 쓰기 1단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Read Word	—	0054	01110102	Y	—

#21 FET CD (off,off)_CHA 명령 2단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0020	11160000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—

#22 FET CD (off,off)_DCHA 명령 2단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	001F	11160000	N	—
2	Delay	—	1000	40N60000	N	—

#23 SEAL 명령 2단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0030	11160000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—

#24 Write H/P Barcode (CT Lable) 명령 2단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Block (Replace)	BARCODE	—	12060000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—

#25 Read H/P Barcode (CT Lable) 명령 1단계 · 쓰기 0단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Read Block	—	—	02060114	Y	—

#26 Current Accuracy (CHA) 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Delay	—	1000	40N60000	N	—
2	Read Word	—	—	01210000	Y	—
3	Delay	—	100	40N60000	N	—

#27 Current Accuracy (DCHA) 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Delay	—	1000	40N60000	N	—
2	Read Word	—	—	01210000	Y	—
3	Delay	—	100	40N60000	N	—

#28 Cancel PF 명령 4단계 · 쓰기 4단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	2673	11160000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—
3	Write Word	—	1712	11160000	N	—
4	Delay	—	100	40N60000	N	—

#29 Current 0A 명령 2단계 · 쓰기 1단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Delay	—	2000	40N60000	N	—
2	Read Word	—	—	01210000	Y	—

#30 Pack date write 명령 1단계 · 쓰기 1단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	CT_Label	—	11160000	N	—

#32 Current_10mA 명령 3단계 · 쓰기 0단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Wakeup On	—	—	24060000	N	—
2	Read Word	—	—	01210000	Y	—
3	Wakeup Off	—	—	24160000	N	—

#33 IR Pack 명령 6단계 · 쓰기 3단계 /(+(1,2,3),(?3)) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Read IR	—	—	20210000	Y	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—
3	Read IR	—	—	20210000	Y	—
4	Delay	—	100	4NN60000	N	—
5	Read IR	—	—	20210000	Y	—
6	Delay	—	100	4NN60000	N	—

#34 Temp fix 명령 1단계 · 쓰기 0단계 (?26) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	4NN60000	Y	—

#35 Mid Tab Test 명령 1단계 · 쓰기 0단계 MIDTAB(11,12,13,14,15,16,17,18,19,20) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	4NN10000	Y	—

#36 Temperature Pack(F) 명령 1단계 · 쓰기 0단계 J(?(26))(1) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Read Word	—	—	01440000	Y	—

#37 Shutdown DC 명령 7단계 · 쓰기 5단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0010	11160000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—
3	Write Word	—	0010	11160000	N	—
4	Delay	—	100	40N60000	N	—
5	DisCharge On (Condition 2)	—	—	2NN60000	N	—
6	DisCharge Off (Condition 2)	—	—	22160000	N	—
7	Delay	—	500	40N60000	N	—