522 MAX17817

칩셋 유형96

최종 수정wenqi bian / 20121015101554

이 칩셋을 사용하는 모델 0건 (TB_TEST_MODEL)

MODEL_ID	모델명	팩유형	셀구성
등록된 모델이 없습니다.

쓰기(Write) 기본 항목 5건 (TB_WRITE_ITEM_BASIC)

ID	항목명
1	BARCODE
2	Cancel PF
3	UNSEAL1
4	UNSEAL2
5	SEAL

검사 항목 128건 (TB_TEST_ITEM)

ID	항목명	단위	기본명령	복합명령	쓰기항목	쓰기데이터	변환식
1	Manufacturer Access	hex	Read Word	—	—	—	—
60	Temperature (Pack)	'C	—	Temperature(Pack)	—	—	—
2	RCA	10mWh	Read Word	—	—	—	—
62	FET CD(off,on)_CHA	mA	—	FET CD(off.on)_CHA	—	—	—
3	RTA	min	Read Word	—	—	—	—
63	FET CD(on,off)_CHA	mA	—	FET CD(on.off)_CHA	—	—	—
4	Battery Mode	hex	Read Word	—	—	—	—
65	FET CD(off,on)_DCHA	mA	—	FET CD(off.on)_DCHA	—	—	—
5	AtRate	mA	Read Word	—	—	—	—
66	FET CD(on,off)_DCHA	mA	—	FET CDP(on.off)_DCHA	—	—	—
6	AtRate(Full)	min	Read Word	—	—	—	—
67	Fuse Blow Test	hex	—	Fuse Blow MPU	—	—	—
7	AtRate(Empty)	min	Read Word	—	—	—	—
68	Mid Tab Test	mV	—	Mid-Tab	—	—	—
8	AtRate(OK)	—	Read Word	—	—	—	—
70	Delay	ms	Delay	—	—	—	—
164	Average Current	mA	Read Word	—	—	—	—
71	Current Accuracy (Zero)	mA	Read Word	—	—	—	—
13	Max Error	%	Read Word	—	—	—	—
72	FET Charge On(SI)	—	FET Charge On	—	—	—	—
14	RSOC	%	Read Word	—	—	—	—
73	FET Charge Off(SI)	—	FET Charge Off	—	—	—	—
16	RC	mWh	Read Word	—	—	—	—
74	FET Discharge On(SI)	—	FET Discharge On	—	—	—	—
17	FCC (mAh)	mWh	Read Word	—	—	—	—
75	FET Discharge Off(SI)	—	FET Discharge Off	—	—	—	—
21	Charging Current	mA	Read Word	—	—	—	—
77	IR Pack	mOhm	Read IR	—	—	—	—
22	Charging Voltage	mV	Read Word	—	—	—	—
86	Voltage Pack (DVM)	mV	Read Voltage	—	—	—	—
23	Battery Status	hex	Read Word	—	—	—	—
87	Voltage Difference (Bank 1_0x23)	mV	—	Voltage Difference(Bank1_0x23)	—	—	—
24	Cycle Count	cyc	Read Word	—	—	—	—
88	Voltage Difference (Bank 2_0x23)	mV	—	Voltage Difference(Bank2_0x23)	—	—	—
25	Design Capacity	mAh	Read Word	—	—	—	—
89	Voltage Difference (Bank 3_0x23)	mV	—	Voltage Difference(Bank3_0x23)	—	—	—
26	Design Voltage	mV	Read Word	—	—	—	—
90	Voltage Difference (Bank 4_0x23)	mV	—	Voltage Difference(Bank4_0x23)	—	—	—
28	Pack Manufacture Date	yymmdd	Read Word	—	—	—	—
91	Voltage Accuracy (DVM - SMBus_0x23)	mV	—	Voltage Accuracy(DVM-SMbus_0x23)	—	—	—
29	Pack Serial Number	—	Read Word	—	—	—	—
92	Temperature (Ref)	'C	Read Temperature	—	—	—	—
234	Pack Manufacturer Name	—	Read Block	—	—	—	—
93	Enable System (Max17817)	—	Write Word	—	—	9D6D	—
235	Pack Device Name	—	Read Block	—	—	—	—
95	Voltage Difference (Bank 1)	mV	—	Voltage Difference(Bank1)	—	—	—
44	Checksum(F/W)	word	Read Block	—	—	—	—
96	Voltage Difference (Bank 2)	mV	—	Voltage Difference(Bank2)	—	—	—
45	Checksum(ProgramEE)	word	Read Block	—	—	—	—
97	Voltage Difference (Bank 3)	mV	—	Voltage Difference(Bank3)	—	—	—
46	Checksum(DataEE)	word	Read Block	—	—	—	—
98	Voltage Difference (Bank 4)	mV	—	Voltage Difference(Bank4)	—	—	—
47	PCM F/W Type	byte	Read Block	—	—	—	—
99	Voltage Accuracy (DVM - SMBus)	mV	—	Voltage Accuracy(DVM-SMbus)	—	—	—
48	PCM F/W Version	byte	Read Block	—	—	—	—
101	CT Label Info (Data)	—	—	Read CT Label(Data)	—	—	—
49	PCM DF Type	byte	Read Block	—	—	—	—
102	CT Label Info (Length)	hex	—	Read CT Label(Length)	BARCODE	—	—
50	PCM DF Version	byte	Read Block	—	—	—	—
124	Write H/P Barcode (HP)	—	—	Write CT Label(HP)	—	—	—
51	PCM H/W Version	byte	Read Block	—	—	—	—
126	IR Connector T-Pin	Ohm	Read THR(Thermistor)	—	—	—	—
52	PCM Manufacturer ID(B7)	byte	Read Block	—	—	—	—
156	All Led On	—	—	All Led On	—	—	—
54	PCM Manufacturer ID(B6)	byte	Read Block	—	—	—	—
157	All Led Off	—	—	All Led Off	—	—	—
55	PCM Manufacture Date	yyyymmdd	Read Block	—	—	—	—
158	Shut Down	—	—	Ship mode	—	—	—
56	PCM Serial Number	num	Read Block	—	—	—	—
159	Lock DF	—	—	Lock DF	—	—	—
116	PCM Connector Vendor ID(HP)	ascii	Read Block	—	—	—	—
160	Check Lock DF	Hex	—	Check Lock DF	—	—	—
117	PCM H/W Version(HP)	ascii	Read Block	—	—	—	—
161	Unlock DF	—	—	Unlock DF	—	—	—
118	PCM DF Version(HP)	ascii	Read Block	—	—	—	—
162	Check Unlock DF	Hex	—	Check Unlock DF	—	—	—
119	PCM Manufacturer ID(HP)	ascii	Read Block	—	—	—	—
196	Write Manufacturer Access(0000)	Hex	Write Word	—	—	0000	—
120	PCM Reserved Value (HP)	ascii	Read Block	—	—	—	—
201	PF Clear(Max17817)	hex	—	PF Clear(Max17817)	—	—	—
121	PCM Manufacture Date(0x70)	yyyymmdd	Read Block	—	—	—	—
206	Current Sum	mA	—	Current Sum	—	—	—
122	PCM Serial Number(0x70)	num	Read Block	—	—	—	—
207	Bank1 IR	mOhm	—	Bank1 IR	—	—	—
131	CT Label Info (Null_HP)	num	Read Block	—	—	—	—
208	Bank2 IR	mOhm	—	Bank2 IR	—	—	—
132	Write At Rate	mA	Write Word	—	—	0000	—
209	Bank3 IR	mOhm	—	Bank3 IR	—	—	—
183	Voltage Pack(SMBus)	mV	Read Word	—	—	—	—
210	Bank4 IR	mOhm	—	Bank4 IR	—	—	—
191	Voltage(Bank 4)	mV	Read Word	—	—	—	—
211	Mid Tab Test D	mOhm	—	Bank IR Difference	—	—	—
192	Voltage(Bank 3)	mV	Read Word	—	—	—	—
212	Voltage DCHA(Bank1)	mV	Read Word	—	—	—	—
193	Voltage(Bank 2)	mV	Read Word	—	—	—	—
213	Voltage DCHA(Bank2)	mV	Read Word	—	—	—	—
194	Voltage(Bank 1)	mV	Read Word	—	—	—	—
214	Voltage DCHA(Bank3)	mV	Read Word	—	—	—	—
195	Write Manufacturer Access(0000)	—	Write Word	—	—	0000	—
215	Voltage DCHA(Bank4)	mV	Read Word	—	—	—	—
198	CT Label Info(0x70_00byte)	hex	Read Block	—	—	—	—
216	Voltage CHA(Bank1)	mV	Read Word	—	—	—	—
199	CT Label Info(0x70_01~14byte_HP)	ascii	Read Block	—	—	—	—
217	Voltage CHA(Bank2)	mV	Read Word	—	—	—	—
240	FET_CD(off,on)_CHA	—	Echo	—	—	—	—
218	Voltage CHA(Bank3)	mV	Read Word	—	—	—	—
241	FET_CD_(on,off)_DCHA	—	Echo	—	—	—	—
219	Voltage CHA(Bank4)	mV	Read Word	—	—	—	—
242	Fuse_Blow_Test	—	Echo	—	—	—	—
220	Current Accuracy(DCHA)	mA	—	Current Accuracy(DCHA)	—	—	—
243	TEST	mV	Read Word	—	—	—	—
221	Current Accuracy(CHA)	mA	—	Current Accuracy(CHA)	—	—	—
222	Voltage DCHA(Bank1_0x23)	mV	Read Block	—	—	—	—
223	Voltage DCHA(Bank2_0x23)	mV	Read Block	—	—	—	—
224	Voltage DCHA(Bank3_0x23)	mV	Read Block	—	—	—	—
225	Voltage DCHA(Bank4_0x23)	mV	Read Block	—	—	—	—
226	Voltage CHA(Bank1_0x23)	mV	Read Block	—	—	—	—
227	Voltage CHA(Bank2_0x23)	mV	Read Block	—	—	—	—
228	Voltage CHA(Bank3_0x23)	mV	Read Block	—	—	—	—
229	Voltage CHA(Bank4_0x23)	mV	Read Block	—	—	—	—
230	Charge On(Condition 1SI)	—	Charge On (Condition 1)	—	—	—	—
231	Charge Off(Condition 1SI)	—	Charge Off (Condition 1)	—	—	—	—
232	DisCharge On(Conditon 1SI)	—	DisCharge On (Condition 1)	—	—	—	—
233	DisCharge Off(Condition 1SI)	—	DisCharge Off (Condition 1)	—	—	—	—
236	Votlage Deviation(MaxV-MinV)	mV	—	Voltage Deviation(MaxV-MinV)	—	—	—
237	Wakeup On	—	Wakeup On	—	—	—	—
238	Wakeup Off	—	Wakeup Off	—	—	—	—
239	Temperature (Ref)	—	—	Temerature (fix)	—	—	—

복합(조합) 명령 38건 (TB_UNION_CODE_MST / DTL)

#1 Temperature(Pack) 명령 1단계 · 쓰기 0단계 J(1,?(26)) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Read Word	—	—	01440000	Y	—

#5 FET CD(off.on)_CHA 명령 5단계 · 쓰기 4단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	9D6D	11160000	N	—
2	Delay	—	250	40N60000	N	—
3	Write Word	—	0004	11160000	N	—
4	Delay	—	2000	40N60000	N	—
5	Read Word	—	—	01210000	Y	—

#6 FET CD(on.off)_CHA 명령 8단계 · 쓰기 7단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	9D6D	11160000	N	—
2	Delay	—	250	40N60000	N	—
3	Write Word	—	0002	11160000	N	—
4	Delay	—	2000	40N60000	N	—
5	Read Word	—	—	01210000	Y	—
6	Delay	—	100	40N60000	N	—
7	Write Word	—	9D6D	11110000	N	—
8	Delay	—	250	40N60000	N	—

#8 FET CD(off.on)_DCHA 명령 5단계 · 쓰기 4단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	9D6D	11160000	N	—
2	Delay	—	250	40N60000	N	—
3	Write Word	—	0004	11160000	N	—
4	Delay	—	2000	40N60000	N	—
5	Read Word	—	—	01210000	Y	—

#9 FET CDP(on.off)_DCHA 명령 7단계 · 쓰기 6단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	9D6D	11160000	N	—
2	Delay	—	250	40N60000	N	—
3	Write Word	—	0002	11160000	N	—
4	Delay	—	2000	40N60000	N	—
5	Read Word	—	—	01210000	Y	—
6	Write Word	—	9D6D	11160000	N	—
7	Delay	—	250	40N60000	N	—

#11 Fuse Blow MPU 명령 17단계 · 쓰기 16단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	9D6D	11160000	N	—
2	Delay	—	250	40N60000	N	—
3	Write Word	—	0006	11160000	N	—
4	Delay	—	250	40N60000	N	—
5	Write Word	—	55AA	11160000	N	—
6	Delay	—	250	40N60000	N	—
7	Write Word	—	0005	11160000	N	—
8	Delay	—	250	40N60000	N	—
9	Read Word	—	—	01100000	Y	—
10	Write Word	—	9D6D	1NN60000	N	—
11	Delay	—	100	40N60000	N	—
12	Write Word	—	2309	11160000	N	—
13	Delay	—	250	40N60000	N	—
14	Write Word	—	9D6D	11160000	N	—
15	Delay	—	250	40N60000	N	—
16	Write Word	—	0006	11160000	N	—
17	Delay	—	250	40N60000	N	—

#12 Voltage Accuracy(DVM-SMbus_0x23) 명령 2단계 · 쓰기 0단계 J(1)(2) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Read Block	—	—	03341302	Y	—

#13 Mid-Tab 명령 1단계 · 쓰기 0단계 MIDTAB(11,12,13,14,15,16,17,18,19,20) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	4NN10000	Y	—

#15 Voltage Difference(Bank4_0x23) 명령 2단계 · 쓰기 0단계 J(/(1,?(S)))(2) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Read Block	—	—	03341302	Y	—

#16 Voltage Difference(Bank3_0x23) 명령 2단계 · 쓰기 0단계 J(/(1,?(S)))(2) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Read Block	—	—	03341102	Y	—

#17 Voltage Difference(Bank2_0x23) 명령 2단계 · 쓰기 0단계 J(/(1,?(S)))(2) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Read Block	—	—	03340902	Y	—

#18 Voltage Difference(Bank1_0x23) 명령 2단계 · 쓰기 0단계 J(/(1,?(S)))(2) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Read Block	—	—	03340502	Y	—

#20 Read CT Label(Data) 명령 6단계 · 쓰기 1단계 (1) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Freeze	—	—	4NN60000	N	—
2	Delay	—	—	40N60000	N	—
3	DF Read	BARCODE	—	02030000	Y	—
4	Delay	—	—	40N60000	N	—
5	Unfreeze	—	—	4NN60000	N	—
6	Delay	—	—	40N60000	N	—

#21 Voltage Difference(Bank4) 명령 2단계 · 쓰기 0단계 J(/(1,?(S)))(2) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Read Word	—	—	01340000	Y	—

#22 Voltage Difference(Bank3) 명령 2단계 · 쓰기 0단계 J(/(1,?(S)))(2) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Read Word	—	—	01340000	Y	—

#23 Voltage Difference(Bank2) 명령 2단계 · 쓰기 0단계 J(/(1,?(S)))(2) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Read Word	—	—	01340000	Y	—

#24 Voltage Difference(Bank1) 명령 2단계 · 쓰기 0단계 J(/(1,?(S)))(2) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Read Word	—	—	01340000	Y	—

#25 Voltage Accuracy(DVM-SMbus) 명령 2단계 · 쓰기 0단계 #(1,2) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Read Word	—	—	01340000	Y	—

#28 Read CT Label(Length) 명령 6단계 · 쓰기 1단계 (1) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Freeze	—	—	4NN60000	N	—
2	Delay	—	—	40N60000	N	—
3	DF Read	BARCODE	—	00100000	Y	—
4	Delay	—	—	40N60000	N	—
5	Unfreeze	—	—	4NN60000	N	—
6	Delay	—	—	40N60000	N	—

#32 Write CT Label(HP) 명령 2단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Block (Replace)	BARCODE	—	12060000	N	—
2	Delay	—	4000	40N60000	N	—

#33 Voltage Deviation(MaxV-MinV) 명령 4단계 · 쓰기 0단계 #(1,2,3,4) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—
3	Echo	—	—	44N60000	Y	—
4	Echo	—	—	44N60000	Y	—

#44 All Led On 명령 4단계 · 쓰기 3단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	9D6D	11160000	N	—
2	Delay	—	1000	40N60000	N	—
3	Write Word	—	041F	11160000	N	—
4	Micom Pause	—	—	41N60000	Y	—

#45 All Led Off 명령 3단계 · 쓰기 3단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	9D6D	11160000	N	—
2	Delay	—	250	40N60000	N	—
3	Write Word	—	0400	11160000	N	—

#46 Ship mode 명령 4단계 · 쓰기 4단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	9D6D	11160000	N	—
2	Delay	—	300	40N60000	N	—
3	Write Word	—	5353	11160000	N	—
4	Delay	—	300	40N60000	N	—

#47 Lock DF 명령 4단계 · 쓰기 4단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	9D6D	11160000	N	—
2	Delay	—	500	40N60000	N	—
3	Write Word	—	330B	11160000	N	—
4	Delay	—	500	40N60000	N	—

#48 Check Lock DF 명령 4단계 · 쓰기 3단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	9D6D	11160000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—
3	Read Word	—	—	01120000	Y	—
4	Delay	—	100	40N60000	N	—

#49 Unlock DF 명령 4단계 · 쓰기 4단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	9D6D	11160000	N	—
2	Delay	—	500	40N60000	N	—
3	Write Word	—	330C	11160000	N	—
4	Delay	—	500	40N60000	N	—

#50 Check Unlock DF 명령 4단계 · 쓰기 3단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	9D6D	11160000	N	—
2	Delay	—	800	40N60000	N	—
3	Read Word	—	—	01120000	Y	—
4	Delay	—	500	40N60000	N	—

#57 PF Clear(Max17817) 명령 7단계 · 쓰기 6단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	55AA	11110000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—
3	Write Word	—	9D6D	11160000	N	—
4	Delay	—	100	40N60000	N	—
5	Write Word	—	2309	11160000	N	—
6	Delay	—	100	40N60000	N	—
7	Read Word	—	—	01100000	Y	—

#58 Current Sum 명령 2단계 · 쓰기 0단계 -(1,2) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—

#59 Bank1 IR 명령 3단계 · 쓰기 0단계 -(*(/(#(1,2),3),(?1000)),(?10)) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—
3	Echo	—	—	44N60000	Y	—

#60 Bank2 IR 명령 3단계 · 쓰기 0단계 -(*(/(#(1,2),3),(?1000)),(?10)) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—
3	Echo	—	—	44N60000	Y	—

#61 Bank3 IR 명령 3단계 · 쓰기 0단계 -(*(/(#(1,2),3),(?1000)),(?10)) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—
3	Echo	—	—	44N60000	Y	—

#62 Bank4 IR 명령 3단계 · 쓰기 0단계 -(*(/(#(1,2),3),(?1000)),(?10)) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—
3	Echo	—	—	44N60000	Y	—

#63 Bank IR Difference 명령 4단계 · 쓰기 0단계 #(1,2,3,4) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—
3	Echo	—	—	44N60000	Y	—
4	Echo	—	—	44N60000	Y	—

#64 Current Accuracy(CHA) 명령 2단계 · 쓰기 1단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Delay	—	300	40N60000	N	—
2	Read Word	—	—	01210000	Y	—

#65 Current Accuracy(DCHA) 명령 2단계 · 쓰기 1단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Delay	—	300	40N60000	N	—
2	Read Word	—	—	01210000	Y	—

#66 Temerature (fix) 명령 1단계 · 쓰기 0단계 (?26) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	4NN60000	Y	—