23 R2J24020

칩셋 유형95

최종 수정SMARTINFO / 20100703151227

이 칩셋을 사용하는 모델 0건 (TB_TEST_MODEL)

MODEL_ID	모델명	팩유형	셀구성
등록된 모델이 없습니다.

쓰기(Write) 기본 항목 6건 (TB_WRITE_ITEM_BASIC)

ID	항목명
1	UNSEAL1
2	UNSEAL2
3	SEAL
4	Enable System
5	Disable System
6	BARCODE

검사 항목 251건 (TB_TEST_ITEM)

ID	항목명	단위	기본명령	복합명령	쓰기항목	쓰기데이터	변환식
1	Manufacturer Access	hex	Read Word	—	—	—	—
58	FET CDP (off,on,off)_CHA	—	—	FET CDP(off,on,off)_CHA	—	—	—
2	RCA	10mWh	Read Word	—	—	—	—
59	FET CDP (off,on,off)_DCHA	—	—	FET CDP(off,on,off)_DCHA	—	—	—
3	RTA	min	Read Word	—	—	—	—
60	FET CDP (on,off,off)_CHA	—	—	FET CDP(on,off,off)_CHA	—	—	—
4	Battery Mode	hex	Read Word	—	—	—	—
61	FET CDP (on,off,off)_DCHA	—	—	FET CDP(on,off,off)_DCHA	—	—	—
5	AtRate	mA	Read Word	—	—	—	—
109	FET CDP (off,off,on)_CHA	—	—	FET CDP(off.off.on)_CHA	—	—	—
6	AtRate(Full)	min	Read Word	—	—	—	—
110	FET CDP (off,off,on)_DCHA	—	—	FET CDP(off.off.on)_DCHA	—	—	—
7	AtRate(Empty)	min	Read Word	—	—	—	—
64	Current Consumption (PCM)	—	—	Check PCM Power	—	—	—
8	AtRate(OK)	—	Read Word	—	—	—	—
65	Fuse Blow Test	—	Echo	—	—	—	—
9	Temperature	'C	Read Word	—	—	—	—
66	Voltage Pack (DVM)	mV	—	Pack Voltage(DVM)	—	—	—
10	Voltage Pack (SMBus)	mV	Read Word	—	—	—	—
68	Store RAM Data	—	—	Store RAM Data	—	—	—
12	Average Current	mA	Read Word	—	—	—	—
69	Voltage Accuracy (DVM - SMBus)	mV	—	Voltage Pack(DVM-SMBus)	—	—	—
13	Max Error	%	Read Word	—	—	—	—
70	IR Pack	mOhm	Read IR	—	—	—	—
14	RSOC	%	Read Word	—	—	—	—
71	Current Accuracy (Zero)	mA	Read Word	—	—	—	—
15	ASOC	%	Read Word	—	—	—	—
72	Enable System (Renesas IC)	—	Write Word	—	Enable System	—	—
16	RC	mWh	Read Word	—	—	—	—
73	Disable System (Renesas IC)	—	Write Word	—	Disable System	—	—
17	FCC (mAh)	mAh	Read Word	—	—	—	—
74	Delay	—	Delay	—	—	—	—
21	Charging Current	mA	Read Word	—	—	—	—
75	Temperature (Ref)	'C	Read Temperature	—	—	—	—
22	Charging Voltage	mV	Read Word	—	—	—	—
77	Temperature (Pack)	'C	—	Temperature(Pack)	—	—	—
23	Battery Status	hex	Read Word	—	—	—	—
78	FET Charge On(SI)	—	FET Charge On	—	—	—	—
24	Cycle Count	cyc	Read Word	—	—	—	—
79	FET Charge Off(SI)	—	FET Charge Off	—	—	—	—
25	Design Capacity	mAh	Read Word	—	—	—	—
80	FET DisCharge On(SI)	—	FET Discharge On	—	—	—	—
26	Design Voltage	mV	Read Word	—	—	—	—
81	FET DisCharge Off(SI)	—	FET Discharge Off	—	—	—	—
27	Specification Info	hex	Read Word	—	—	—	—
82	Mid Tab Test	mV	—	Mid-Tab	—	—	—
28	Pack Manufacture Date	yymmdd	Read Word	—	—	—	—
83	FCC (10mWh)	mWh	—	Full Charge Capacity(10mWh)	—	—	—
29	Pack Serial Number	—	Read Word	—	—	—	—
85	Pack Device Name	—	Read Block	—	—	—	—
30	Pack Manufacturer Name	—	Read Block	—	—	—	—
86	System Reset	—	Write Word	—	—	0001	—
33	Pack Manufacture Data	—	Read Block	—	—	—	—
87	Wake Up On	—	Wakeup(Normal) On	—	—	—	—
34	Customer P/N	—	Read Block	—	—	—	—
88	Wake Up Off	—	Wakeup(Normal) Off	—	—	—	—
120	Voltage (Bank 4)	mV	Read Word	—	—	—	—
89	LED Check	—	—	LED Check	—	—	—
115	Voltage (Bank 3)	mV	Read Word	—	—	—	—
90	Voltage Difference (Bank 4)	mV	—	Voltage Difference(Bank4)	—	—	—
116	Voltage (Bank 2)	mV	Read Word	—	—	—	—
91	Voltage Difference (Bank 3)	mV	—	Voltage Difference(Bank3)	—	—	—
114	Voltage (Bank 1)	mV	Read Word	—	—	—	—
92	Voltage Difference (Bank 2)	mV	—	Voltage Difference(Bank2)	—	—	—
43	PCM Manufacturer ID	—	Read Block	—	—	—	—
93	Voltage Difference (Bank 1)	mV	—	Voltage Difference(Bank1)	—	—	—
44	Checksum (F/W)	—	Read Block	—	—	—	—
94	System Present On	—	Sys 1 On	—	—	—	—
45	Manufacturer Access	—	Read Word	—	—	—	—
95	System Present Off	—	Sys 1 Off	—	—	—	—
46	Pack Configuration	—	Read Word	—	—	—	—
98	Seal	—	—	Seal	—	—	—
47	BMU Mode	hex	Read Word	—	—	—	—
99	Unseal	—	—	Unseal	—	—	—
48	Checksum (Flash Rom)	byte	Read Block	—	—	—	—
100	IR Connector T-Pin	ohm	Read THR(Thermistor)	—	—	—	—
49	Checksum (Selected Area)	byte	Read Block	—	—	—	—
101	Voltage CHA (Bank 1)	mV	Read Word	—	—	—	—
50	PCM F/W Type	byte	Read Block	—	—	—	—
102	Voltage CHA (Bank 2)	mV	Read Word	—	—	—	—
51	PCM F/W Version	byte	Read Block	—	—	—	—
103	Voltage CHA (Bank 3)	mV	Read Word	—	—	—	—
52	PCM DF Type	byte	Read Block	—	—	—	—
104	Voltage CHA (Bank 4)	mV	Read Word	—	—	—	—
53	PCM DF Version	byte	Read Block	—	—	—	—
105	Voltage DCHA (Bank 1)	mV	Read Word	—	—	—	—
54	PCM H/W Version	byte	Read Block	—	—	—	—
106	Voltage DCHA (Bank 2)	mV	Read Word	—	—	—	—
55	PCM Manufacturer ID	byte	Read Block	—	—	—	—
107	Voltage DCHA (Bank 3)	mV	Read Word	—	—	—	—
56	PCM Manufacture Date	yyyymmdd	Read Block	—	—	—	—
108	Voltage DCHA (Bank 4)	mV	Read Word	—	—	—	—
57	PCM Serial Number	num	Read Block	—	—	—	—
112	PCM Manufacture Date	—	—	PCM Manufacture Date(SBData)	—	—	—
197	AS_Low_Flag	—	Manual Test	—	—	—	—
113	PCM Serial Number	—	—	PCM Serial Number(SBData)	—	—	—
198	AS_Low_Volt	—	Manual Test	—	—	—	—
119	Shut Down	—	—	Ship mode	—	—	—
199	PackDate_W1	—	Manual Test	—	—	—	—
121	Current Accuracy (CHA)	mA	Read Word	—	—	—	—
200	PackSN_W1	—	Manual Test	—	—	—	—
122	Current Accuracy (DCHA)	mA	Read Word	—	—	—	—
201	Reset	—	Manual Test	—	—	—	—
123	FET CDP (off,on,off)_CHA	mA	—	FET CDP(off,on,off)_Charge(tango)	—	—	—
202	Communication - 80IC	—	Manual Test	—	—	—	—
124	FET CDP (off,off,on)_CHA	mA	—	FET CDP(off.off.on)_CHA	—	—	—
203	Confirm_PackDate1	—	Manual Test	—	—	—	—
125	FET CDP (on,off,off)_CHA	mA	—	FET CDP(on,off,off)_CHA	—	—	—
204	Confirm_PackSN1	—	Manual Test	—	—	—	—
126	FET CDP (off,off,on)_CHA	mA	—	FET CDP(off.off.on)_Charge(tango)	—	—	—
205	RSOC	—	Manual Test	—	—	—	—
127	FET CDP (on,off,off)_CHA	mA	—	FET CDP(on,off,off)_Charge(tango)	—	—	—
206	DischargeModeActivation	—	Manual Test	—	—	—	—
128	Write H/P Barcode (Sony)	—	—	Write CT Label	—	—	—
207	DisableCommand	—	Manual Test	—	—	—	—
129	PCM Manufacture Date	—	—	PCM Manufacture Date(SBData) Tango	—	—	—
208	DCR	—	Manual Test	—	—	—	—
130	PCM Serial Number	—	—	PCM Serial Number(SBData) Tango	—	—	—
209	Sense line test	—	Manual Test	—	—	—	—
147	Voltage Pack (DVM)	mV	Read Voltage	—	—	—	—
210	AS_High_Volt	—	Manual Test	—	—	—	—
148	Voltage Deviation (MaxV-MinV)	—	—	Voltage Deviation(MaxV-MinV)	—	—	—
211	WatchDog Command	—	Manual Test	—	—	—	—
153	Check Shutdown	—	—	LED Check	—	—	—
224	Read Model FW version	—	Manual Test	—	—	—	—
154	CT Label Info (Data)	ascii	—	Read CT Label(Data)	—	—	—
227	Sense line test_V1H	—	Manual Test	—	—	—	—
156	BarcodeScan1	—	Manual Test	—	—	—	—
228	Sense line test_V2H	—	Manual Test	—	—	—	—
157	Communication	—	Manual Test	—	—	—	—
229	Sense line test_V3H	—	Manual Test	—	—	—	—
158	EnableCommand	—	Manual Test	—	—	—	—
230	Sense line test_V4H	—	Manual Test	—	—	—	—
159	Read Mfr.code	—	Manual Test	—	—	—	—
232	TM1_0 1P	—	Manual Test	—	—	—	—
160	BMUMode2	—	Manual Test	—	—	—	—
233	TM1_1 1P	—	Manual Test	—	—	—	—
161	PCMInfo_PCMDate	—	Manual Test	—	—	—	—
234	TM1_2 1P	—	Manual Test	—	—	—	—
162	PCMInfo_PCMSN	—	Manual Test	—	—	—	—
235	TM1_3 1P	—	Manual Test	—	—	—	—
163	PCMInfo_PCMmakerID	—	Manual Test	—	—	—	—
238	Manufacturer data	hex	Read Block	—	—	—	—
164	PCMInfo_PCMHWver	—	Manual Test	—	—	—	—
239	Read_PackDate1	—	Manual Test	—	—	—	—
165	PCMInfo_SWver	—	Manual Test	—	—	—	—
240	LED Check	—	Manual Test	—	—	—	—
166	PCMInfo_ModelCode	—	Manual Test	—	—	—	—
243	Mid Tab Test (BL1430)	—	Manual Test	—	—	—	—
167	DF_Calib_Checksum	—	Manual Test	—	—	—	—
244	AS High(BL1415NA)	—	Manual Test	—	—	—	—
168	PackVolt_DVM	—	Manual Test	—	—	—	—
245	CN_AS L1	—	Manual Test	—	—	—	—
169	THVolt_DVM	—	Manual Test	—	—	—	—
246	CN_AS L2	—	Manual Test	—	—	—	—
170	PackVolt_OCV	—	Manual Test	—	—	—	—
247	DQ High	—	Manual Test	—	—	—	—
171	Cell5_Volt_OCV	—	Manual Test	—	—	—	—
248	DQ Low	—	Manual Test	—	—	—	—
172	Cell4_Volt_OCV	—	Manual Test	—	—	—	—
249	ROM Checksum_35A	byte	Read Block	—	—	—	—
173	Cell3_Volt_OCV	—	Manual Test	—	—	—	—
250	DF Checksum_35A	byte	Read Block	—	—	—	—
174	Cell2_Volt_OCV	—	Manual Test	—	—	—	—
251	PCM Date_35A	yymmdd	Read Block	—	—	—	—
175	Cell1_Volt_OCV	—	Manual Test	—	—	—	—
252	PCM SN_35A	num	Read Block	—	—	—	—
176	RefVolt_OCV	—	Manual Test	—	—	—	—
253	Software type_35A	hex	Read Block	—	—	—	—
177	ACR	—	Manual Test	—	—	—	—
254	Software ver_35A	hex	Read Block	—	—	—	—
178	Ref_Temp	—	Manual Test	—	—	—	—
255	DF type_35A	hex	Read Block	—	—	—	—
179	BatteryTemp	—	Manual Test	—	—	—	—
256	DF ver_35A	hex	Read Block	—	—	—	—
180	CPU_Temp	—	Manual Test	—	—	—	—
257	AS High Flag(BL1415NA)	—	Manual Test	—	—	—	—
181	Current3	—	Manual Test	—	—	—	—
258	AS Low(BL1415NA)	—	Manual Test	—	—	—	—
212	Cell5_Volt_OCV(charge)	—	Manual Test	—	—	—	—
259	AS Low Flag(BL1415NA)	—	Manual Test	—	—	—	—
213	Cell4_Volt_OCV(charge)	—	Manual Test	—	—	—	—
260	Mid Tab Test (4S)	—	Manual Test	—	—	—	—
214	Cell3_Volt_OCV(charge)	—	Manual Test	—	—	—	—
261	FET Temperature	—	Manual Test	—	—	—	—
215	Cell2_Volt_OCV(charge)	—	Manual Test	—	—	—	—
262	FET OFF Check	—	Manual Test	—	—	—	—
216	Cell1_Volt_OCV(charge)	—	Manual Test	—	—	—	—
263	FET ON Check	—	Manual Test	—	—	—	—
217	Cell5_Volt_OCV(discharge)	—	Manual Test	—	—	—	—
264	Check soft version 1	—	Manual Test	—	—	—	—
218	Cell4_Volt_OCV(discharge)	—	Manual Test	—	—	—	—
265	Check soft version 2	—	Manual Test	—	—	—	—
219	Cell3_Volt_OCV(discharge)	—	Manual Test	—	—	—	—
266	Check soft version 3	—	Manual Test	—	—	—	—
220	Cell2_Volt_OCV(discharge)	—	Manual Test	—	—	—	—
267	Check soft version 4	—	Manual Test	—	—	—	—
221	Cell1_Volt_OCV(discharge)	—	Manual Test	—	—	—	—
268	Check soft version 5	—	Manual Test	—	—	—	—
222	Mid Tab Test (BL1830)	—	Manual Test	—	—	—	—
182	Current1	—	Manual Test	—	—	—	—
269	Check soft version 6	—	Manual Test	—	—	—	—
187	Delay	—	Manual Test	—	—	—	—
183	Current1_DVM	—	Manual Test	—	—	—	—
192	TM1_2	—	Manual Test	—	—	—	—
270	Check Project No	—	Manual Test	—	—	—	—
188	VSS_open	—	Manual Test	—	—	—	—
184	Current2	—	Manual Test	—	—	—	—
193	TM1_3	—	Manual Test	—	—	—	—
271	PackLine_W1	—	Manual Test	—	—	—	—
190	TM1_0	—	Manual Test	—	—	—	—
189	EnableCommand	—	Manual Test	—	—	—	—
185	Current2_DVM	—	Manual Test	—	—	—	—
272	PackRev_W1	—	Manual Test	—	—	—	—
186	Charge_DVM	—	Manual Test	—	—	—	—
196	AS_High_Flag	—	Manual Test	—	—	—	—
194	WatchDog	—	Manual Test	—	—	—	—
195	EnableCommand	—	Manual Test	—	—	—	—
191	TM1_1	—	Manual Test	—	—	—	—
273	Enable Discharge	—	Manual Test	—	—	—	—
223	TM1_0	—	Manual Test	—	—	—	—
274	Mid Tab Test (5S)	—	Manual Test	—	—	—	—
231	Ship mode	—	—	Ship mode	—	—	—
275	Cell1_Volt_OCV_4S	—	Manual Test	—	—	—	—
236	Temperature (Ref)	—	—	Temperature (Fix)	—	—	—
276	Cell2_Volt_OCV_4S	—	Manual Test	—	—	—	—
237	IR Pack	—	—	IR-DCR	—	—	—
277	Cell3_Volt_OCV_4S	—	Manual Test	—	—	—	—
286	FET CD (On.On)	—	—	FET CD (On,On)	—	—	—
278	Cell4_Volt_OCV_4S	—	Manual Test	—	—	—	—
287	Clear PF	—	—	Clear PF	—	—	—
279	Charge_DVM_4S	—	Manual Test	—	—	—	—
288	Current Sum	—	—	Current Sum	—	—	—
280	Checksum (Flash Rom)_80IC	byte	Read Block	—	—	—	—
289	Bank 1 IR	—	—	Bank 1 IR	—	—	—
281	Checksum (Selected Area)_80IC	byte	Read Block	—	—	—	—
290	Bank 2 IR	—	—	Bank 2 IR	—	—	—
282	PCM F/W Version_80IC	byte	Read Block	—	—	—	—
291	Bank 3 IR	—	—	Bank 3 IR	—	—	—
283	PCM DF Version_80IC	byte	Read Block	—	—	—	—
292	Bank 4 IR	—	—	Bank 4 IR	—	—	—
284	PCM Manufacture Date_80IC	yyyymmdd	Read Block	—	—	—	—
293	Mid_tab_test D	—	—	Mid_tab_test D	—	—	—
285	PCM Serial Number_80IC	num	Read Block	—	—	—	—
294	Charge On (SI)	—	Charge On (Condition 1)	—	—	—	—
298	AS_Low_Flag 1	—	Manual Test	—	—	—	—
295	Charge Off (SI)	—	Charge Off (Condition 1)	—	—	—	—
299	AS_Low_Volt 1	—	Manual Test	—	—	—	—
296	Discharge On (SI)	—	DisCharge On (Condition 1)	—	—	—	—
300	PCM_Date_RW	—	Manual Test	—	—	—	—
297	Discharge Off (SI)	—	DisCharge Off (Condition 1)	—	—	—	—

복합(조합) 명령 50건 (TB_UNION_CODE_MST / DTL)

#1 FET CDP(off,on,off)_CHA 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0203	11160000	N	—
2	Delay	—	1000	40N60000	N	—
3	Read Word	—	—	01210000	Y	—

#2 FET CDP(on,off,off)_CHA 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0403	11160000	N	—
2	Delay	—	1000	40N60000	N	—
3	Read Word	—	—	01210000	Y	—

#3 FET CDP(off,on,off)_DCHA 명령 10단계 · 쓰기 7단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	FET Discharge Off	—	—	22160000	N	—
2	Write Word	—	0203	11160000	N	—
3	Delay	—	2000	40N60000	N	—
4	FET Discharge On	—	—	22060000	N	—
5	Delay	—	2000	40N60000	N	—
6	Read Word	—	—	01210000	Y	—
7	Write Word	—	835A	11110000	N	—
8	Delay	—	1000	40N60000	N	—
9	Write Word	—	0005	11110000	N	—
10	Delay	—	1000	40N60000	N	—

#4 FET CDP(on,off,off)_DCHA 명령 5단계 · 쓰기 4단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0403	11160000	N	—
2	Delay	—	1000	40N60000	N	—
3	Read Word	—	—	01210000	Y	—
4	Write Word	—	835A	11110000	N	—
5	Delay	—	1000	4NN60000	N	—

#5 Fuse Blow MPU 명령 7단계 · 쓰기 4단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0003	11160000	N	—
2	Delay	—	—	40N60000	N	—
3	Write Word	—	0005	11160000	N	—
4	Delay	—	2500	40N60000	N	—
5	Read Word	—	—	01100000	Y	—
6	Write Word	—	0603	11160000	N	—
7	Delay	—	—	40N60000	N	—

#6 Check PCM Power 명령 2단계 · 쓰기 1단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	000A	11160000	N	—
2	Read PCM Power	—	—	20010000	Y	—

#9 RCA(sony_10mAh) 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0000	11160000	N	—
2	Read Word	—	—	01510000	Y	—
3	Write Word	—	8000	11160000	N	—

#10 Store RAM Data 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	FFFF	11160000	N	—
2	Delay	—	500	40N60000	N	—
3	Read Word	—	—	01100000	Y	—

#11 LED Check 명령 6단계 · 쓰기 3단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	835A	11160000	N	—
2	Write Word	—	0002	11160000	N	—
3	Micom Pause	—	—	41N00000	Y	—
4	DisCharge On (Condition 2)	—	—	22060000	N	—
5	DisCharge Off (Condition 2)	—	—	22160000	N	—
6	Write Word	—	FFFF	11160000	N	—

#12 Voltage Difference(Bank1) 명령 2단계 · 쓰기 0단계 J(/(1,?(S)))(2) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Read Word	—	—	01340000	Y	—

#13 Voltage Difference(Bank2) 명령 2단계 · 쓰기 0단계 J(/(1,?(S)))(2) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Read Word	—	—	01340000	Y	—

#15 Voltage Difference(Bank3) 명령 2단계 · 쓰기 0단계 J(/(1,?(S)))(2) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Read Word	—	—	01340000	Y	—

#16 Voltage Difference(Bank4) 명령 2단계 · 쓰기 0단계 J(/(1,?(S)))(2) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Read Word	—	—	01340000	Y	—

#17 Pack Voltage(DVM) 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	000A	11160000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—
3	Read Voltage	—	—	20110000	Y	—

#18 Voltage Pack(DVM-SMBus) 명령 2단계 · 쓰기 0단계 #(1,2) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Read Word	—	—	01310000	Y	—

#19 Temperature(Pack) 명령 2단계 · 쓰기 0단계 J((?27))(2) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Read Temperature	—	—	20460000	Y	—
2	Read Word	—	—	01440000	Y	—

#21 Write Device Name 명령 9단계 · 쓰기 6단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0020	11160000	N	—
2	Delay	—	—	40N60000	N	—
3	Write Word	UNSEAL1	—	11160000	N	—
4	Write Word	—	0021	11160000	N	—
5	Delay	—	—	40N60000	N	—
6	Write Word	UNSEAL2	—	11160000	N	—
7	Write Word	—	0022	11160000	N	—
8	Delay	—	—	40N60000	N	—
9	Write Word	SEAL	—	11160000	N	—

#22 Mid-Tab 명령 1단계 · 쓰기 0단계 MIDTAB(11,12,13,14,15,16,17,18,19,20) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	4NN10000	Y	—

#23 Full Charge Capacity(10mWh) 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	8000	11160000	N	—
2	Read Word	—	—	01510000	Y	—
3	Write Word	—	0000	11160000	N	—

#24 Seal 명령 1단계 · 쓰기 1단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	SEAL	—	11160000	Y	—

#25 Unseal 명령 4단계 · 쓰기 4단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	UNSEAL1	—	11160000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—
3	Write Word	UNSEAL2	—	11160000	N	—
4	Delay	—	100	40N60000	N	—

#26 FET CDP(off.off.on)_CHA 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0103	11160000	N	—
2	Delay	—	500	40N60000	N	—
3	Read Word	—	—	01210000	Y	—

#27 FET CDP(off.off.on)_DCHA 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0103	11160000	N	—
2	Delay	—	500	40N60000	N	—
3	Read Word	—	—	01210000	Y	—

#28 PCM Manufacture Date(SBData) 명령 16단계 · 쓰기 15단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0080	11160000	N	—
2	Delay	—	50	40N60000	N	—
3	Write Word	—	0080	11160000	N	—
4	Delay	—	50	40N60000	N	—
5	Write Word	UNSEAL1	—	11160000	N	—
6	Delay	—	50	40N60000	N	—
7	Write Word	UNSEAL2	—	11160000	N	—
8	Delay	—	50	40N60000	N	—
9	Write Word	—	EE11	11160000	N	—
10	Delay	—	50	40N60000	N	—
11	Write Block	—	3A380002	12160000	N	—
12	Delay	—	50	40N60000	N	—
13	Read Block	—	—	03640102	Y	—
14	Delay	—	50	40N60000	N	—
15	Write Block	—	D0	12160000	N	—
16	Delay	—	1000	40N60000	N	—

#29 PCM Serial Number(SBData) 명령 16단계 · 쓰기 15단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0080	11160000	N	—
2	Delay	—	50	40N60000	N	—
3	Write Word	—	0080	11160000	N	—
4	Delay	—	50	40N60000	N	—
5	Write Word	UNSEAL1	—	11160000	N	—
6	Delay	—	50	40N60000	N	—
7	Write Word	UNSEAL2	—	11160000	N	—
8	Delay	—	50	40N60000	N	—
9	Write Word	—	EE11	11160000	N	—
10	Delay	—	50	40N60000	N	—
11	Write Block	—	3C380002	12160000	N	—
12	Delay	—	50	40N60000	N	—
13	Read Block	—	—	03510102	Y	—
14	Delay	—	50	40N60000	N	—
15	Write Block	—	D0	12160000	N	—
16	Delay	—	1000	40N60000	N	—

#32 Ship mode 명령 7단계 · 쓰기 7단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0080	11160000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—
3	Write Word	—	0080	11160000	N	—
4	Delay	—	100	40N60000	N	—
5	Write Word	—	0B0A	11160000	N	—
6	Delay	—	100	40N60000	N	—
7	Write Word	—	0908	11160000	N	—

#33 Temperature (Fix) 명령 1단계 · 쓰기 0단계 (?27) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	4NN60000	Y	—

#34 Check Dchg(tango) 명령 8단계 · 쓰기 1단계 (1) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	DisCharge On (Condition 1)	—	—	22060000	N	—
2	Delay	—	2000	40N60000	N	—
3	Read Word	—	—	01260000	Y	—
4	Read Word	—	—	01360000	Y	—
5	Read Word	—	—	01360000	Y	—
6	Read Word	—	—	01360000	Y	—
7	Read Word	—	—	01360000	Y	—
8	DisCharge Off (Condition 1)	—	—	22160000	N	—

#35 FET CDP(off,on,off)_Charge(tango) 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0203	11160000	N	—
2	Delay	—	2000	40N60000	N	—
3	Read Word	—	—	01210000	Y	—

#36 FET CDP(on,off,off)_Charge(tango) 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0403	11160000	N	—
2	Delay	—	2000	40N60000	N	—
3	Read Word	—	—	01210000	Y	—

#37 FET CDP(off.off.on)_Charge(tango) 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0103	11160000	N	—
2	Delay	—	2000	40N60000	N	—
3	Read Word	—	—	01210000	Y	—

#39 Write CT Label 명령 3단계 · 쓰기 2단계 (1) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Block (Not Fixed 1)	BARCODE	—	12060000	N	—
2	Delay	—	200	40N60000	N	—
3	Read Block	—	—	02030117	Y	—

#40 PCM Manufacture Date(SBData) Tango 명령 16단계 · 쓰기 15단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0080	11160000	N	—
2	Delay	—	50	40N60000	N	—
3	Write Word	—	0080	11160000	N	—
4	Delay	—	50	40N60000	N	—
5	Write Word	UNSEAL1	—	11160000	N	—
6	Delay	—	50	40N60000	N	—
7	Write Word	UNSEAL2	—	11160000	N	—
8	Delay	—	50	40N60000	N	—
9	Write Word	—	EE11	11160000	N	—
10	Delay	—	50	40N60000	N	—
11	Write Block	—	3C380002	12160000	N	—
12	Delay	—	50	40N60000	N	—
13	Read Block	—	—	03640102	Y	—
14	Delay	—	50	40N60000	N	—
15	Write Block	—	D0	12160000	N	—
16	Delay	—	1000	40N60000	N	—

#41 PCM Serial Number(SBData) Tango 명령 16단계 · 쓰기 15단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0080	11160000	N	—
2	Delay	—	50	40N60000	N	—
3	Write Word	—	0080	11160000	N	—
4	Delay	—	50	40N60000	N	—
5	Write Word	UNSEAL1	—	11160000	N	—
6	Delay	—	50	40N60000	N	—
7	Write Word	UNSEAL2	—	11160000	N	—
8	Delay	—	50	40N60000	N	—
9	Write Word	—	EE11	11160000	N	—
10	Delay	—	50	40N60000	N	—
11	Write Block	—	3A380002	12160000	N	—
12	Delay	—	50	40N60000	N	—
13	Read Block	—	—	03510102	Y	—
14	Delay	—	50	40N60000	N	—
15	Write Block	—	D0	12160000	N	—
16	Delay	—	1000	40N60000	N	—

#44 Pack Voltage(DVM) Tosiba 명령 1단계 · 쓰기 0단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Read Voltage	—	—	20110000	Y	—

#46 Cancel active 명령 14단계 · 쓰기 14단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0080	11160000	N	—
2	Delay	—	50	40N60000	N	—
3	Write Word	—	0080	11160000	N	—
4	Delay	—	50	40N60000	N	—
5	Write Word	UNSEAL1	—	11160000	N	—
6	Delay	—	50	40N60000	N	—
7	Write Word	UNSEAL2	—	11160000	N	—
8	Delay	—	50	40N60000	N	—
9	Write Word	—	EE44	11160000	N	—
10	Delay	—	50	40N60000	N	—
11	Write Word	—	0000	11160000	N	—
12	Delay	—	50	40N60000	N	—
13	Write Word	—	0000	11160000	N	—
14	Delay	—	50	40N60000	N	—

#48 Voltage Deviation(MaxV-MinV) 명령 4단계 · 쓰기 0단계 #(1,2,3,4) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—
3	Echo	—	—	44N60000	Y	—
4	Echo	—	—	44N60000	Y	—

#49 Check Shutdown switch 명령 4단계 · 쓰기 3단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	835A	11160000	N	—
2	Write Word	—	1F04	11160000	N	—
3	Micom Pause	—	—	41N00000	Y	—
4	Write Word	—	FFFF	11160000	N	—

#51 Read CT Label(Data) 명령 6단계 · 쓰기 1단계 (1) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Freeze	—	—	4NN60000	N	—
2	Delay	—	—	4NN60000	N	—
3	DF Read	BARCODE	—	02030000	Y	—
4	Delay	—	—	4NN60000	N	—
5	Unfreeze	—	—	4NN60000	N	—
6	Delay	—	—	4NN60000	N	—

#52 Ship mode 명령 2단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	594D	11160000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—

#53 Full Charge Capacity(BPS_10mWh) 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	8000	11160000	N	—
2	Read Word	—	—	01510000	Y	—
3	Write Word	—	0000	11160000	N	—

#54 FET CD (On,On) 명령 6단계 · 쓰기 6단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	835A	11160000	N	—
2	Delay	—	1000	40N60000	N	—
3	Write Word	—	0003	11160000	N	—
4	Delay	—	1000	40N60000	N	—
5	Write Word	—	0603	11110000	N	—
6	Delay	—	1000	40N60000	N	—

#55 Clear PF 명령 4단계 · 쓰기 4단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	835A	11160000	N	—
2	Delay	—	1000	40N60000	N	—
3	Write Word	—	0004	11160000	N	—
4	Delay	—	1000	40N60000	N	—

#56 Current Sum 명령 2단계 · 쓰기 0단계 -(1,2) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—

#57 Bank 1 IR 명령 3단계 · 쓰기 0단계 *(/(#(1,2),3),?(1000)) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—
3	Echo	—	—	44N60000	Y	—

#58 Bank 2 IR 명령 3단계 · 쓰기 0단계 *(/(#(1,2),3),?(1000)) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—
3	Echo	—	—	44N60000	Y	—

#59 Bank 3 IR 명령 3단계 · 쓰기 0단계 *(/(#(1,2),3),?(1000)) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—
3	Echo	—	—	44N60000	Y	—

#60 Bank 4 IR 명령 3단계 · 쓰기 0단계 *(/(#(1,2),3),?(1000)) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—
3	Echo	—	—	44N60000	Y	—

#61 Mid_tab_test D 명령 4단계 · 쓰기 0단계 #(1,2,3,4) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—
3	Echo	—	—	44N60000	Y	—
4	Echo	—	—	44N60000	Y	—

#62 IR-DCR 명령 10단계 · 쓰기 2단계 -(*(/(-(1,3),-(2,4)),(?1000)),(?0)) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Charge On (Condition 1)	—	—	21060000	N	—
2	Delay	—	200	40N60000	N	—
3	Read Word	—	—	01310000	Y	—
4	Read Word	—	—	01210000	Y	—
5	Charge Off (Condition 1)	—	—	21160000	N	—
6	DisCharge On (Condition 1)	—	—	22060000	N	—
7	Delay	—	100	40N60000	N	—
8	Read Word	—	—	01310000	Y	—
9	Read Word	—	—	01210000	Y	—
10	DisCharge Off (Condition 1)	—	—	22160000	N	—