362 RAJ240045

칩셋 유형92

최종 수정Thuy TC / 20160116155100

이 칩셋을 사용하는 모델 52건 (TB_TEST_MODEL)

MODEL_ID	모델명	팩유형	셀구성
P21GER-A1-S03	HOPPER 2C	HP	0201
P21GER-A1-S03-OBA	HOPPER 2C-OBA	HP	0201
P22GHR-03-N01	Terra 4C	HP	0202
P22GHR-03-N01-OBA	Terra 4C - OBA	HP	0202
P41GBX-01-N01	Zeus 4C	HP	0401
P41GBX-01-N01-OBA	Zeus 4C-OBA	HP	0401
PN3533P101A	TITAN 4C	HP	0401
PN3533P101A-OBA	TITAN 4C-OBA	HP	0401
PN3533P102A	NX14 4C	HP	0401
PN3533P102A-OBA	NX14-OBA	HP	0401
PN3803P101A	TITAN2-L-3C	HP	0301
PN3803P101A-OBA	TITAN2-L-3C-OBA	HP	0301
PN3803P102A	WINGS-3C	HP	0301
PN3803P102A-OBA	WINGS3C-OBA	HP	0301
PN3823P101A	VESTA13 4C	HP	0401
PN3823P101A-OBA	VESTA13 4C-OBA	HP	0401
PN3823P101B	VESTA13 4C	HP	0401
PN3823P101B-OBA	VESTA13 4C-OBA	HP	0401
PN3903P102A	NX16 4C	HP	0401
PN3903P102A-OBA	NX16-OBA	HP	0401
PN3903P103A	ORIGIN16-4C	HP	0401
PN3903P103A-OBA	ORIGIN16-4C	HP	0401
PN4013P101A	Mars13-QC 3C	HP	0301
PN4013P101A-OBA	Mars13-QC 3C-OBA	HP	0301
PN4023P101A	Mars13 4C	HP	0401
PN4023P101A-OBA	Mars13 4C-OBA	HP	0401
PN4223P101A	GB6-PRO14-4C	HP	0401
PN4223P101A-OBA	GB-PRO14-4C-OBA	HP	0401
PN4343P101A	MARS15 4C	HP	0401
PN4343P101A-OBA	MARS15 4C-OBA	HP	0401
PN4373P101A	KAIROS-3C	HP	0301
PN4373P101A-OBA	KAIROS-3C-OBA	HP	0301
PN4763P101A	Venus3-EXT 4C	HP	0401
PN4763P101A-OBA	Venus3-EXT 4C-OBA	HP	0401
PN4763P102A	MARS3	HP	0401
PN4763P102A-OBA	MARS3-OBA	HP	0401
PN4803P101A	N-SLIM 2C	HP	0201
PN4803P101A-OBA	N-SLIM-OBA	HP	0201
PN4913P101A	GB6-PRO16-4C	HP	0401
PN4913P101A-OBA	GB-PRO16-4C-OBA	HP	0401
PN4913P101B	GB6-PRO16-4C	HP	0401
PN4913P101B-OBA	GB-PRO16-4C-OBA	HP	0401
PN4913P102A	GB6-PRO16-57IC-4C	HP	0401
PN4913P102A-OBA	GB6-PRO16-57IC-OBA	HP	0401
PN5043P101A	GB6-Ultra	HP	0401
PN5043P101A-OBA	GB-Ultra16-4C-OBA	HP	0401
PN5073P101A	SATURN 11	HP	0201
PN5073P101A-OBA	SATURN 11-OBA	HP	0201
PN5783P101A	Terra_Q_4C	HP	0202
PN5783P101A-OBA	Terra_Q_4C-OBA	HP	0202
PN5783P102A	METIS - 4C	HP	0202
PN5783P102A-OBA	METIS - 4C-OBA	HP	0202

쓰기(Write) 기본 항목 4건 (TB_WRITE_ITEM_BASIC)

ID	항목명
1	CT_Label
2	Week
3	BARCODE
4	TODAY

검사 항목 152건 (TB_TEST_ITEM)

ID	항목명	단위	기본명령	복합명령	쓰기항목	쓰기데이터	변환식
2121	Read Pack Date	—	—	—	—	—	—
13	Manufacture Access	—	Read Word	—	—	—	—
2123	Temperature Difference (FET-PACK)	—	Read Temperature	—	—	—	—
14	F/W Check Sum	Hex	Read Word	—	—	—	—
2	Unseal	—	—	Unseal	—	—	—
15	Fix Data Check Sum	Hex	Read Word	—	—	—	—
3	Cycle Count 1 Write	—	—	Cycle Count 1 Write	—	—	—
16	Pack Manufacture Date	—	Read Word	—	—	—	—
4	Data Flash Reset	—	—	Data Flash Reset	—	—	—
17	Pack Serial Number	num	Read Word	—	—	—	—
5	Experience of Max Voltage	mV	—	Experience of Max Voltage	—	—	—
18	PCM Manufacture Date	—	Read Block	—	—	—	—
6	Extra Function Mode	—	—	Extra Runction Mode	—	—	—
19	PCM Serial Number	num	Read Block	—	—	—	—
7	LT Min Cell Voltage	mV	—	LT Min Cell Voltage	—	—	—
20	RSOC	%	Read Word	—	—	—	—
8	RMA Data Reset	—	—	RMA Data Reset	—	—	—
21	PCM Connector Vender ID	—	Read Block	—	—	—	—
9	Reset	Hex	—	Reset	—	—	—
22	PCM H/W Version	—	Read Block	—	—	—	—
10	Restart Counter	num	—	Restart Counter	—	—	—
23	PCM DF Version	Hex	Read Block	—	—	—	—
11	Seal	Hex	—	Seal	—	—	—
24	PCM Manufacture ID	Hex	Read Block	—	—	—	—
12	Shut Down	—	—	Shut Down	—	—	—
25	PCM Reserved Value	Hex	Read Block	—	—	—	—
33	Temperature - Cell	'C	—	Temperature - Cell	—	—	—
26	Pack Manufacure Name	—	Read Block	—	—	—	—
34	Temperature - FET	'C	—	Temperature - FET	—	—	—
27	Current Accuracy Zero	mA	Read Word	—	—	—	—
35	Voltage Accuracy (DVM - SMBus)	mV	—	Voltage Accuracy (DVM - SMBus)	—	—	—
28	Voltage Bank 1	mV	Read Word	—	—	—	—
36	Voltage Deviation (MaxV - MinV)	mV	—	Voltage Deviation (MaxV - MinV)	—	—	—
29	Voltage Bank 2	mV	Read Word	—	—	—	—
37	Bank 1 IR	Ohm	—	Bank 1 IR	—	—	—
30	Voltage Pack - SMBus	mV	Read Word	—	—	—	—
38	Bank 2 IR	Ohm	—	Bank 2 IR	—	—	—
31	Pack IR	mOhm	Read IR	—	—	—	—
39	Current Sum	mA	—	Current Sum	—	—	—
32	Temperature - Ref	'C	Read Temperature	—	—	—	—
40	Mid Tab Test D	—	—	Mid Tab Test D	—	—	—
45	Voltage Bank 1 - DCHA	—	Read Word	—	—	—	—
41	Charge On Condition (SI)	—	Charge On (Condition 1)	—	—	—	—
46	Voltage Bank 2 - DCHA	—	Read Word	—	—	—	—
42	Charge Off Condition (SI)	—	Charge Off (Condition 1)	—	—	—	—
47	Voltage Bank 1 - CHA	—	Read Word	—	—	—	—
43	Discharge Off Condition (SI)	—	DisCharge Off (Condition 1)	—	—	—	—
48	Voltage Bank 2 - CHA	—	Read Word	—	—	—	—
44	Discharge On Condition (SI)	—	DisCharge On (Condition 1)	—	—	—	—
49	Current Accuracy - CHA	mA	Read Word	—	—	—	—
66	Temperature-Ref	'C	—	Temperature-fix	—	—	—
127	Voltage Bank 3 - DCHA	—	Read Word	—	—	—	—
50	Current Accuracy - DCHA	mA	Read Word	—	—	—	—
76	Write H/P Barcode - BP02041XL	—	—	Write H/P Barcode - BP02041XL	—	—	—
128	Voltage Bank 4 - DCHA	mA	Read Word	—	—	—	—
51	CT Label Infor - Battery	mV	Read THR(Resistor)	—	—	—	—
81	RTC Voltage Check_2	mV	—	RTC Voltage Check_2	—	—	—
129	Voltage Bank 3 - CHA	mV	Read Word	—	—	—	—
52	CT Label Infor - Assembly code	—	Read THR(Resistor)	—	—	—	—
84	Current Accuracy (CHA)	mA	—	Current Accuracy - CHA [BP]	—	—	—
130	Voltage Bank 4 - CHA	—	Read Word	—	—	—	—
53	CT Label Infor - Revision Level	—	Read THR(Resistor)	—	—	—	—
85	Check Resistance	Ohm	—	Check Resistance_UC	—	—	—
54	CT Label Infor - Supplier Site	—	Read THR(Resistor)	—	—	—	—
86	Temperature - Ref	'C	Read Temperature	—	—	—	—
55	CT Label Infor - Null	—	Read Block	—	—	—	—
92	IR Connector T-Pin	Ohm	Read THR(Resistor)	—	—	—	—
56	Cycle Count	—	Read Word	—	—	—	—
93	Temperature(Pack)	'C	—	Temperature - Cell	—	—	—
57	FCC (mAh)	mAh	Read Word	—	—	—	—
94	Enable_system	—	Write Word	—	—	—	—
58	At Rate	—	Read Word	—	—	—	—
96	Check Reset Storage Data	—	—	Check Reset Storage Data	—	—	—
59	RCA	mAh	Read Word	—	—	—	—
97	Shut Down	—	—	Shut Down	—	—	—
60	RTA	—	Read Word	—	—	—	—
103	Mid Tab Test	mV	—	Mid Tab Test	—	—	—
61	Check Seal	Hex	Read Word	—	—	—	—
105	Reset 2	—	—	Reset_Tab Pro	—	—	—
62	Voltage Pack - DVM (1)	mV	Read Voltage	—	—	—	—
106	Reset (RJ)	—	—	Reset (RJ)	—	—	—
63	Wakeup Off	—	Wakeup Off	—	—	—	—
107	Pack IR	—	—	IR Pack	—	—	—
64	Wakeup On	—	Wakeup On	—	—	—	—
108	Confirm Reset Storage Data	Hex	—	Confirm Reset Storage Data	—	—	—
65	Delay	—	Delay	—	—	—	—
111	RTC Voltage Check	—	Read Voltage 2	—	—	—	—
68	CT Label Info (Week/ Year)	Str	Read Block	—	—	—	—
112	Check Resistance	—	Read THR(Resistor)	—	—	—	—
69	CT Label Info (Unique sequence identifier)	—	Read Block	—	—	—	—
113	Temperature - Cell	'C	—	Temperature - Cell (TECC)	—	—	—
70	CT Label Infor_Battery	num	Read Block	—	—	—	—
114	Temperature - FET	'C	—	Temperature - FET (TECC)	—	—	—
71	CT Label Infor_Assembly code	Hex	Read Block	—	—	—	—
115	Charge On Condition (SI)_2	—	Charge On (Condition 2)	—	—	—	—
72	CT Label Infor_Revision Level	Hex	Read Block	—	—	—	—
116	Charge Off Condition (SI)_2	—	Charge Off (Condition 2)	—	—	—	—
73	CT Label Infor_Supplier Site	Hex	Read Block	—	—	—	—
117	Discharge Off Condition (SI)_2	—	DisCharge Off (Condition 2)	—	—	—	—
74	Read H/P Barcode - BP02041XL	Hex	Read Block	—	—	—	—
118	Discharge On Condition (SI)_2	—	DisCharge On (Condition 2)	—	—	—	—
131	Read H/P Barcode	Hex	Read Block	—	—	—	—
75	CT Label Infor_Null	Hex	Read Block	—	—	—	—
119	Charge On Condition (SI)_3	—	Charge On (Condition 3)	—	—	—	—
77	RTC Voltage Check	mV	Read Voltage	—	—	—	—
120	Charge Off Condition (SI)_3	—	Charge Off (Condition 3)	—	—	—	—
79	Check Resistance	mR	Read THR(Thermistor)	—	—	—	—
121	Discharge Off Condition (SI)_3	—	DisCharge Off (Condition 3)	—	—	—	—
82	Relay_ON	—	Relay_ON	—	—	—	—
122	Discharge On Condition (SI)_3	—	DisCharge On (Condition 3)	—	—	—	—
83	Relay_OFF	—	Relay_OFF	—	—	—	—
132	CancelPF	—	—	CancelPF	—	—	—
87	PCM FW Type(B2)	—	Read Block	—	—	—	—
133	EnableCommand	—	—	EnableCommand	—	—	—
88	PCM FW Version(B3)	—	Read Block	—	—	—	—
134	PackDate_W	—	—	PackDate_W	—	—	—
89	PCM DF Type(B4)	—	Read Block	—	—	—	—
135	PackSN_W	—	—	PackSN_W	—	—	—
90	PCM DF Version(B5)	—	Read Block	—	—	—	—
136	Reset 3	—	—	Reset 3	—	—	—
91	Pack Device Name	—	Read Block	—	—	—	—
137	PCM Barcode Number(PL)	—	Read Block	—	—	—	—
95	Reset 2	—	Write Word	—	—	0001	—
138	BatteryMode	—	Read Word	—	—	—	—
98	Checksum(Flash Rom)	—	Read Block	—	—	—	—
139	PCM Barcode Number(NC)	—	Read Block	—	—	—	—
99	Checksum((Selected Area)	—	Read Block	—	—	—	—
2122	Check FET Temperature	'C	—	Check FET Temp	—	—	—
100	PCM H/W Version	—	Read Block	—	—	—	—
124	Checksum (Bootloader)	—	Read Block	—	—	—	—
2184	Temperature Difference (FET-PACK)	'C	—	Temperature Difference (FET-PACK)	—	—	—
2231	CAP Current (DCHA) 2	'C	—	—	—	—	—
101	Check Reset Storage Data	Hex	Read Word	—	—	—	—
126	Voltage Bank 4	mV	Read Word	—	—	—	—
2183	Temperature Difference (FET-PACK)	mV	—	—	—	—	—
2185	Read FET Temperature	'C	Read Word	—	—	—	—
102	Restart Counter	—	Read Block	—	—	—	—
2186	Read Pack Temperature	'C	Read Word	—	—	—	—
104	Pack IR	mOhm	Read IR	—	—	—	—
2187	Read Volt Pack Terminal	mV	Read Word	—	—	—	—
109	Restart Counter_2	DEC	Read Block	—	—	—	—
2188	Read Volt Cell Total	mV	Read Word	—	—	—	—
110	Set SMB CLock (50Khz)	—	Set SMB Clock	—	—	—	—
2189	Voltage difference (Cell Total-Pack T)	mV	—	Voltage difference (Cell Total-Pack T)	—	—	—
123	Pack IR (J)	—	Read IR	—	—	—	—
2190	CAP Current (DCHA)	mA	Read Word	—	—	—	—
125	Voltage Bank 3	mV	Read Word	—	—	—	—
2233	Pack Serial Number_W	—	—	Pack Serial Number_W	—	—	—
2234	Pack Date_W	—	—	Pack Date_W	—	—	—
2232	Voltage Pack - DVM (2)	mV	Read Voltage	—	—	—	—
2235	Read Pack Date_N	—	Read Word	—	—	—	—
2236	Read Pack SN_N	—	Read Word	—	—	—	—

복합(조합) 명령 49건 (TB_UNION_CODE_MST / DTL)

#1 Unseal 명령 4단계 · 쓰기 4단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	835A	11160000	N	—
2	Delay	—	250	40N60000	N	—
3	Write Word	—	835A	11160000	N	—
4	Delay	—	250	40N60000	N	—

#2 Reset 명령 11단계 · 쓰기 11단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Delay	—	200	40N60000	N	—
2	Write Word	—	0080	11160000	N	—
3	Delay	—	100	40N60000	N	—
4	Write Word	—	0080	11160000	N	—
5	Delay	—	100	40N60000	N	—
6	Write Word	—	EE33	11160000	N	—
7	Delay	—	100	40N60000	N	—
8	Write Word	—	0000	11160000	N	—
9	Delay	—	100	40N60000	N	—
10	Write Word	—	0000	11160000	N	—
11	Delay	—	100	40N60000	N	—

#3 Extra Runction Mode 명령 4단계 · 쓰기 4단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0080	11160000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—
3	Write Word	—	0080	11160000	N	—
4	Delay	—	100	40N60000	N	—

#4 Cycle Count 1 Write 명령 4단계 · 쓰기 4단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	EE51	11160000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—
3	Write Word	—	0001	11160000	N	—
4	Delay	—	100	40N60000	N	—

#5 Experience of Max Voltage 명령 12단계 · 쓰기 11단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0080	11160000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—
3	Write Word	—	0080	11160000	N	—
4	Delay	—	100	40N60000	N	—
5	Write Word	—	9680	11160000	N	—
6	Delay	—	100	40N60000	N	—
7	Read Word	—	—	01310000	Y	—
8	Delay	—	100	40N60000	N	—
9	Write Word	—	0000	11110000	N	—
10	Delay	—	100	40N60000	N	—
11	Write Word	—	0000	11110000	N	—
12	Delay	—	100	40N60000	N	—

#6 LT Min Cell Voltage 명령 12단계 · 쓰기 11단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0080	11160000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—
3	Write Word	—	0080	11160000	N	—
4	Delay	—	100	40N60000	N	—
5	Write Word	—	96B4	11160000	N	—
6	Delay	—	100	40N60000	N	—
7	Read Word	—	—	01310000	Y	—
8	Delay	—	100	40N60000	N	—
9	Write Word	—	0000	11110000	N	—
10	Delay	—	100	40N60000	N	—
11	Write Word	—	0000	11110000	N	—
12	Delay	—	100	40N60000	N	—

#7 Restart Counter 명령 12단계 · 쓰기 11단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0080	11160000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—
3	Write Word	—	0080	11160000	N	—
4	Delay	—	100	40N60000	N	—
5	Write Word	—	966F	11160000	N	—
6	Delay	—	100	40N60000	N	—
7	Read Word	—	—	01310000	Y	—
8	Delay	—	100	40N60000	N	—
9	Write Word	—	0000	11110000	N	—
10	Delay	—	100	40N60000	N	—
11	Write Word	—	0000	11110000	N	—
12	Delay	—	100	40N60000	N	—

#8 RMA Data Reset 명령 14단계 · 쓰기 14단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0080	11160000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—
3	Write Word	—	0080	11160000	N	—
4	Delay	—	100	40N60000	N	—
5	Write Word	—	EE11	11160000	N	—
6	Delay	—	100	40N60000	N	—
7	Write Word	—	0301	11160000	N	—
8	Delay	—	100	40N60000	N	—
9	Write Word	—	D001	11160000	N	—
10	Delay	—	100	40N60000	N	—
11	Write Word	—	0000	11160000	N	—
12	Delay	—	100	40N60000	N	—
13	Write Word	—	0000	11160000	N	—
14	Delay	—	100	40N60000	N	—

#9 Data Flash Reset 명령 10단계 · 쓰기 10단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0080	11160000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—
3	Write Word	—	0080	11160000	N	—
4	Delay	—	100	40N60000	N	—
5	Write Word	—	EE75	11160000	N	—
6	Delay	—	100	40N60000	N	—
7	Write Word	—	0000	11160000	N	—
8	Delay	—	100	40N60000	N	—
9	Write Word	—	0000	11160000	N	—
10	Delay	—	100	40N60000	N	—

#10 Seal 명령 2단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0000	11160000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—

#11 Shut Down 명령 4단계 · 쓰기 4단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0010	11160000	N	—
2	Delay	—	1000	40N60000	N	—
3	Write Word	—	0010	11160000	N	—
4	Delay	—	1000	40N60000	N	—

#12 Temperature - Cell 명령 2단계 · 쓰기 0단계 J(1)(2) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Read Temperature	—	—	20460000	Y	—
2	Read Word	—	—	01440000	Y	—

#13 Temperature - FET 명령 1단계 · 쓰기 0단계 J(1,?(26)) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Read Word	—	—	01440000	Y	—

#14 Voltage Accuracy (DVM - SMBus) 명령 2단계 · 쓰기 0단계 #(1,2,) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Read Voltage	—	—	20110000	Y	—
2	Read Word	—	—	01310000	Y	—

#15 Voltage Deviation (MaxV - MinV) 명령 4단계 · 쓰기 0단계 #(1,2,3,4) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Read Word	—	—	01310000	Y	—
2	Read Word	—	—	01310000	Y	—
3	Read Word	—	—	01310000	Y	—
4	Read Word	—	—	01310000	Y	—

#16 Bank 1 IR 명령 3단계 · 쓰기 0단계 *(/(#(1,2),3),(?1000)) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—
3	Echo	—	—	44N60000	Y	—

#17 Bank 2 IR 명령 3단계 · 쓰기 0단계 *(/(#(1,2),3),(?1000)) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—
3	Echo	—	—	44N60000	Y	—

#18 Mid Tab Test D 명령 2단계 · 쓰기 0단계 #(1,2,3,4) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	4NN10000	Y	—
2	Echo	—	—	4NN10000	Y	—

#19 Current Sum 명령 2단계 · 쓰기 0단계 -(1,2) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—

#20 Temperature-fix 명령 1단계 · 쓰기 0단계 (?26) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	4NN60000	Y	—

#21 Write H/P Barcode - BP02041XL 명령 2단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Block (Replace)	BARCODE	—	12060000	N	—
2	Delay	—	1000	40N60000	N	—

#22 RTC Voltage Check_2 명령 1단계 · 쓰기 0단계 (1) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—

#23 Current Accuracy - CHA [BP] 명령 2단계 · 쓰기 1단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Delay	—	2000	40N60000	N	—
2	Read Word	—	—	01210000	Y	—

#24 Check Resistance_UC 명령 18단계 · 쓰기 9단계 /(+(1,2,3,4,5,6,7,8,9),(?9)) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Read THR(Resistor)	—	—	20310000	Y	—
2	Delay	—	10	40N60000	N	—
3	Read THR(Resistor)	—	—	20310000	Y	—
4	Delay	—	10	40N60000	N	—
5	Read THR(Resistor)	—	—	20310000	Y	—
6	Delay	—	10	40N60000	N	—
7	Read THR(Resistor)	—	—	20310000	Y	—
8	Delay	—	10	40N60000	N	—
9	Read THR(Resistor)	—	—	20310000	Y	—
10	Delay	—	10	40N60000	N	—
11	Read THR(Resistor)	—	—	20310000	Y	—
12	Delay	—	10	40N60000	N	—
13	Read THR(Resistor)	—	—	20310000	Y	—
14	Delay	—	10	40N60000	N	—
15	Read THR(Resistor)	—	—	20310000	Y	—
16	Delay	—	10	40N60000	N	—
17	Read THR(Resistor)	—	—	20310000	Y	—
18	Delay	—	10	40N60000	N	—

#25 Enable_system 명령 0단계 · 쓰기 0단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	835A	11160000	N	—
2	Delay	—	2000	40N60000	N	—

#26 Shut Down Mode 명령 4단계 · 쓰기 4단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	835A	11160000	N	—
2	Delay	—	2000	40N60000	N	—
3	Write Word	—	0002	11160000	N	—
4	Delay	—	2000	40N60000	N	—

#27 Check Reset Storage Data 명령 4단계 · 쓰기 3단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	835A	11160000	N	—
2	Delay	—	1000	40N60000	N	—
3	Read Word	—	—	01160000	Y	—
4	Delay	—	1000	40N60000	N	—

#28 Mid Tab Test 명령 1단계 · 쓰기 0단계 MIDTAB(11,12,13,14,15,16,17,18,19,20) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	4NN10000	Y	—

#29 Reset_Tab Pro 명령 2단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	835A	11160000	N	—
2	Write Word	—	0003	11160000	N	—

#30 Reset (RJ) 명령 4단계 · 쓰기 4단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	835A	11160000	N	—
2	Delay	—	10	40N60000	N	—
3	Write Word	—	0001	11160000	N	—
4	Delay	—	3000	40N60000	N	—

#31 IR Pack 명령 6단계 · 쓰기 3단계 m(1,2,3) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Read IR	—	—	20210000	Y	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—
3	Read IR	—	—	20210000	Y	—
4	Delay	—	100	4NN60000	N	—
5	Read IR	—	—	20210000	Y	—
6	Delay	—	100	4NN60000	N	—

#32 Confirm Reset Storage Data 명령 9단계 · 쓰기 8단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	835A	11160000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—
3	Write Word	—	0003	11160000	N	—
4	Delay	—	100	40N60000	N	—
5	Write Word	—	835A	11160000	N	—
6	Delay	—	100	40N60000	N	—
7	Write Word	—	0003	11160000	N	—
8	Delay	—	3000	4NN60000	N	—
9	Read Word	—	—	01110000	Y	—

#33 Shut Down (DC) 명령 6단계 · 쓰기 4단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0010	11160000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—
3	Write Word	—	0010	11160000	N	—
4	Delay	—	100	40N60000	N	—
5	DisCharge On (Condition 2)	—	—	22060000	N	—
6	DisCharge Off (Condition 2)	—	—	22160000	N	—

#34 Temperature - Cell (TECC) 명령 2단계 · 쓰기 0단계 J(1)(2) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Read Temperature	—	—	20460000	Y	—
2	Read Word	—	—	01440000	Y	—

#35 Temperature - FET (TECC) 명령 2단계 · 쓰기 0단계 J(1)(2) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Read Temperature	—	—	20460000	Y	—
2	Read Word	—	—	01440000	Y	—

#36 CancelPF 명령 3단계 · 쓰기 3단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	835A	11160000	N	—
2	Write Word	—	0004	11160000	N	—
3	Delay	—	200	40N60000	N	—

#37 EnableCommand 명령 2단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	835A	11160000	N	—
2	Delay	—	2000	40N60000	N	—

#38 PackDate_W 명령 2단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	TODAY	—	11160000	N	—
2	Delay	—	2000	40N60000	N	—

#39 PackSN_W 명령 1단계 · 쓰기 0단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	—	11160000	N	—

#40 Reset 3 명령 3단계 · 쓰기 3단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	835A	11160000	N	—
2	Write Word	—	0004	11160000	N	—
3	Delay	—	100	4NN60000	N	—

#41 Check FET Temp 명령 2단계 · 쓰기 1단계 J(1,?(26)) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Read Word	—	—	01400000	Y	—
2	Delay	—	500	40N60000	Y	—

#42 Temperature Difference (FET-PACK) 명령 2단계 · 쓰기 0단계 -(1,2) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Read Word	—	—	01410000	Y	—
2	Read Word	—	—	01410000	Y	—

#43 Read FET Temp 명령 2단계 · 쓰기 1단계 J(1,?(26)) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Read Word	—	—	01400000	Y	—
2	Delay	—	500	40N60000	Y	—

#44 Read Pack Temp 명령 1단계 · 쓰기 0단계 J(1,?(26)) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Read Word	—	—	01460000	Y	—

#45 Read Volt Pack DVM 명령 1단계 · 쓰기 0단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Read Voltage	—	—	20110000	Y	—

#46 Read Volt Pack SMB 명령 1단계 · 쓰기 0단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Read Word	—	—	01310000	Y	—

#47 Voltage difference (Cell Total-Pack T) 명령 2단계 · 쓰기 0단계 -(1,2) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—

#48 Pack Date_W 명령 2단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	BARCODE	—	11161604	N	—
2	Delay	—	500	40N60000	N	—

#49 Pack Serial Number_W 명령 2단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	BARCODE	—	11162305	N	—
2	Delay	—	500	40N60000	N	—