603 BQ40Z552

칩셋 유형

최종 수정1 / 20200129102702

이 칩셋을 사용하는 모델 5건 (TB_TEST_MODEL)

MODEL_ID	모델명	팩유형	셀구성
P21GGH-04-N03	GH02047XL	HP	0201
P31GHV-02-N02	CC03056XL	HP	0301
PN3623P101A	HW03041XL-TI-IC	HP	0301
PN3623P103A	HT03041XL-2019-TI	HP	0301
PN3953P101A	RH03045XL	HP	0301

쓰기(Write) 기본 항목 4건 (TB_WRITE_ITEM_BASIC)

ID	항목명
1	UNSEAL1
2	UNSEAL2
3	SEAL
4	BARCODE

검사 항목 108건 (TB_TEST_ITEM)

ID	항목명	단위	기본명령	복합명령	쓰기항목	쓰기데이터	변환식
1	Manufacturing Status	—	—	Manufacturing Status	—	—	—
2	Manufacturer Access(Operation Status)	—	—	Manufacturer Access(Block)	—	—	—
3	Test100	—	—	Chemistry IDQ	—	—	—
4	Write H/P Barcode (HP)	—	—	Write H/P Barcode (HP)	—	—	—
5	Pack Manufacture Date	—	Read Word	—	—	—	—
6	Pack Serial Number	—	Read Word	—	—	—	—
7	PCM Manufacture Date	—	—	PCM Manufacture Date	—	—	—
8	PCM Serial Number	—	—	PCM Manufacture SN	—	—	—
9	RSOC(Learning RSOC)	%	Read Word	—	—	—	—
10	Write RSOC for IATA	—	—	White RSOC for IATA	—	—	—
11	Read RSOC for IATA	%	Read Word	—	—	—	—
12	PCM Connector Vendor ID	—	—	PCM Connector Vendor ID	—	—	—
13	PCM H/W Version	—	—	PCM H/W Version	—	—	—
14	PCM DF Version	—	—	PCM DF Version	—	—	—
15	PCM Manufacturer ID	—	—	PCM Manufacturer ID	—	—	—
16	PCM Reserved Value	—	—	PCM Reserved Value	—	—	—
17	Pack Manufacturer Name	—	Read Block	—	—	—	—
18	Device Name	—	Read Block	—	—	—	—
19	Current Accuracy (Zero)	mA	Read Word	—	—	—	—
20	RTC Voltage Check	V	—	RTC Voltage Check	—	—	—
21	B/I Resistance Check	—	—	B/I Resistance Check	—	—	—
22	Temperature (Ref)	ºC	Read Temperature	—	—	—	—
23	Temperature (Pack)	ºC	—	Temperature (Pack)	—	—	—
24	IR Pack	—	Read IR	—	—	—	—
25	Voltage Pack (DVM)	mV	Read Voltage	—	—	—	—
26	Voltage (Bank 1)	mV	Read Block	—	—	—	—
27	Voltage (Bank 2)	mV	Read Block	—	—	—	—
28	Voltage (Bank 3)	mV	Read Block	—	—	—	—
29	Voltage Pack (SMBus)	mV	Read Block	—	—	—	—
30	Charge On(Condition 1SI)	—	Charge On (Condition 1)	—	—	—	—
31	Current Accuracy (CHA)	mA	Read Word	—	—	—	—
32	Voltage CHA (Bank 1)	mV	Read Block	—	—	—	—
33	Voltage CHA (Bank 2)	mV	Read Block	—	—	—	—
34	Voltage CHA (Bank 3)	mV	Read Block	—	—	—	—
35	Charge Off(Condition 1SI)	—	Charge Off (Condition 1)	—	—	—	—
36	DisCharge On(Condition 1SI)	—	DisCharge On (Condition 1)	—	—	—	—
37	Current Accuracy (DCHA)	mA	Read Word	—	—	—	—
38	Voltage DCHA (Bank 1)	mV	Read Block	—	—	—	—
39	Voltage DCHA (Bank 2)	mV	Read Block	—	—	—	—
40	Voltage DCHA (Bank 3)	mV	Read Block	—	—	—	—
41	DisCharge Off(Condition 1SI)	—	DisCharge Off (Condition 1)	—	—	—	—
42	CT Label Info (Battery)	—	Read Block	—	—	—	—
43	CT Label Info (Assembly Code)	—	Read Block	—	—	—	—
44	CT Label Info (Revision Level)	—	Read Block	—	—	—	—
45	CT Label Info (Supplier Site)	—	Read Block	—	—	—	—
46	CT Label Info (Null)	—	Read Block	—	—	—	—
47	Write Cycle Count	—	Write Word	—	—	—	1
48	Read Qmax Cycle Count	—	Read Word	—	—	—	—
49	RSOC	%	Read Word	—	—	—	—
50	At Rate	—	Read Word	—	—	—	—
51	Max Error	—	Read Word	—	—	—	—
52	RCA	—	Read Word	—	—	—	—
53	RTA	—	Read Word	—	—	—	—
54	Read Cycle Count	—	Read Word	—	—	—	—
55	FCC (mAh)	mAh	Read Word	—	—	—	—
56	Clear Blackbox	—	—	Clear Blackbox	—	—	—
57	Clear Lifetime	—	—	Clear Lifetime	—	—	—
58	ZZZZZ	—	—	Chemistry IDQ	—	—	—
59	Seal	—	—	Seal	—	—	—
60	Check Seal	—	—	Check Seal	—	—	—
61	SMB_FREQ_20KHz	—	Set SMB Clock	—	—	—	—
62	Wake-up On	—	Wakeup On	—	—	—	—
63	Wake-up Off	—	Wakeup Off	—	—	—	—
64	F/W Version	—	—	F/W Version	—	—	—
65	Chemistry ID	—	—	Chemistry IDQ	—	—	—
66	Shutdown	—	—	Shutdown	—	—	—
67	Read Manufacturer Infor A Length	—	—	Read Manufacturer Info A Length	—	—	—
68	Instruction Flash Signature	—	—	Instruction Flash Signature	—	—	—
69	Write Manufacturer Infor A Length	—	—	—	—	—	—
70	Static Chem DF Signature	—	—	Static Chem DF Signature	—	—	—
71	Voltage Accuracy (DVM - SMBus)	mV	—	Voltage Accuracy (DVM - SMBus)	—	—	—
72	Voltage Deviation (MaxV - MinV)	mV	—	Voltage Deviation (MaxV - MinV)	—	—	—
73	Mid Tab Test	mV	—	Mid Tab Test	—	—	—
74	Unseal	—	—	Unseal	—	—	—
75	Manufacturer Access(Operation Status)	—	Read Word	—	—	—	—
76	TEST_Safety Status	—	—	Safety Status	—	—	—
77	1 QMax cycle count	—	Read Block	—	—	—	—
78	Write QMax Cycle Count	—	—	Write Qmax cycle count	—	—	—
79	Write cycle count	—	—	White cycle count	—	—	—
80	Read QMax Cycle Count	—	—	Read Qmax cycle count	—	—	—
81	Read cycle count	—	—	Read cycle count	—	—	—
82	Write Manufacturer Infor A Length	—	—	Write Manufacturer Info A Length	—	—	—
83	B\I Resistance Check	—	Read THR(Resistor)	—	—	—	—
84	Write H/P Barcode (HP)_2	—	—	Write H/P Barcode (HP)	—	—	—
85	PCM Manufacture Date_2	—	—	PCM Manufacture Date	—	—	—
86	PCM Serial Number_2	—	—	PCM Manufacture SN	—	—	—
87	PCM Connector Vendor ID_2	—	—	PCM Connector Vendor ID	—	—	—
88	PCM H/W Version_2	—	—	PCM H/W Version	—	—	—
89	PCM DF Version_2	—	—	PCM DF Version	—	—	—
90	PCM Manufacturer ID_2	—	—	PCM Manufacturer ID	—	—	—
91	PCM Reserved Value_2	—	—	PCM Reserved Value	—	—	—
92	CT Label Info (Battery)_2	—	Read Block	—	—	—	—
93	CT Label Info (Assembly Code)_2	—	Read Block	—	—	—	—
94	CT Label Info (Revision Level)_2	—	Read Block	—	—	—	—
95	CT Label Info (Supplier Site)_2	—	Read Block	—	—	—	—
96	CT Label Info (Null)_2	—	Read Block	—	—	—	—
97	B/I Voltage Check	mV	—	B/I Resistance Check	—	—	—
98	Delay	—	Delay	—	—	—	—
99	Static DF Signature	—	—	Static DF Signature	—	—	—
100	Write CUV recovery	—	—	Write CUV recovery	—	—	—
101	Read CUV recovery	—	—	Read CUV recovery	—	—	—
102	Write CSP Configuration 1	—	—	Write CSP Configuration 1	—	—	—
103	Change CUV Delay Time	—	—	—	—	—	—
108	Read CT Barcode (HP)	—	—	Read CT Barcode (HP)	—	—	—
104	Change CUV Release	—	—	—	—	—	—
105	Change Ptotection Figuration	—	—	—	—	—	—
106	Write EEPROM Version	—	—	—	—	—	—
107	Write CSP Configuration 1_2	—	—	—	—	—	—

복합(조합) 명령 47건 (TB_UNION_CODE_MST / DTL)

#1 Chemistry IDQ 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Block	—	0600	12160000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—
3	Read Block	—	—	02100102	Y	—

#2 F/W Version 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Block	—	0200	12160000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—
3	Read Block	—	—	02100302	Y	—

#3 Shutdown 명령 5단계 · 쓰기 4단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	00F0	11160000	N	—
2	Delay	—	1000	40N60000	N	—
3	Write Word	—	00F0	11160000	N	—
4	Delay	—	5000	40N60000	N	—
5	Read Voltage	—	—	20110000	Y	—

#4 Write H/P Barcode (HP) 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Block (Replace)	BARCODE	—	12060000	N	—
2	Delay	—	1000	40N60000	N	—
3	Read Block	—	—	02030114	Y	—

#5 Instruction Flash Signature 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Block	—	0400	12160000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—
3	Read Block	—	—	02100102	Y	—

#6 Static DF Signature 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Block	—	0500	12160000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—
3	Read Block	—	—	02100102	Y	—

#7 Static Chem DF Signature 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Block	—	0800	12160000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—
3	Read Block	—	—	02100102	Y	—

#8 Voltage Accuracy (DVM - SMBus) 명령 2단계 · 쓰기 0단계 -(1,2) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N40000	Y	—

#9 Voltage Deviation (MaxV - MinV) 명령 3단계 · 쓰기 0단계 #(1,2,3) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—
3	Echo	—	—	44N10000	Y	—

#10 Mid Tab Test 명령 1단계 · 쓰기 0단계 MIDTAB(11,12,13,14,15,16,17,18,19,20) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	4NN10000	Y	—

#11 Unseal 명령 4단계 · 쓰기 4단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	UNSEAL1	—	11160000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—
3	Write Word	UNSEAL2	—	11160000	N	—
4	Delay	—	100	40N60000	N	—

#12 Manufacturing Status 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Block	—	5700	12160000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—
3	Read Block	—	—	02100104	Y	—

#13 Manufacturer Access(Block) 명령 4단계 · 쓰기 3단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Block	—	5400	12160000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—
3	Read Block	—	—	02120201	Y	—
4	Delay	—	500	40N60000	N	—

#14 Temperature (Pack) 명령 2단계 · 쓰기 0단계 J(1)(2) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Read Temperature	—	—	20460000	Y	—
2	Read Word	—	—	01440000	Y	—

#15 RTC Voltage Check 명령 1단계 · 쓰기 0단계 /(1,?(1000)) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Read Voltage 2	—	—	20110000	Y	—

#16 B/I Resistance Check 명령 1단계 · 쓰기 0단계 /(1,?(1000)) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Read THR(Thermistor)	—	—	20310000	Y	—

#17 Safety Status 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Block	—	5100	12160000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—
3	Read Block	—	—	02100000	Y	—

#18 CP_FUNC_INIT 명령 10단계 · 쓰기 10단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Block	—	2900	12N60000	N	—
2	Delay	—	1000	40N60000	N	—
3	Write Block	—	2100	12160000	N	—
4	Delay	—	1000	40N60000	N	—
5	Write Block	—	2600	1NN60000	N	—
6	Delay	—	1000	4NN60000	N	—
7	Write Block	—	2200	1NN60000	N	—
8	Delay	—	1000	4NN60000	N	—
9	Write Block	—	1200	1NN60000	N	—
10	Delay	—	1000	4NN60000	N	—

#19 Write Qmax cycle count 명령 5단계 · 쓰기 4단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Block	—	10430100	12160000	N	—
2	Delay	—	1000	40N60000	N	—
3	Write Block	—	0E43	12160000	N	—
4	Delay	—	100	40N60000	N	—
5	Read Block	—	—	02110301	Y	—

#20 White cycle count 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Block	—	404301	12160000	N	—
2	Delay	—	1000	40N60000	N	—
3	Read Block	—	—	02100301	Y	—

#21 White RSOC for IATA 명령 2단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Block	—	79001D00	12160000	N	—
2	Delay	—	1000	40N60000	N	—

#22 Clear Blackbox 명령 2단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Block	—	002A	12110000	N	—
2	Delay	—	200	40N60000	N	—

#23 Clear Lifetime 명령 2단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Block	—	0028	12160000	N	—
2	Delay	—	200	40N60000	N	—

#24 B/I Resistance Check 2 명령 2단계 · 쓰기 0단계 /(1,?(1)) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Read Word	—	—	01110000	Y	—
2	Read THR(Thermistor)	—	—	20310000	Y	—

#25 Check Seal 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0030	11160000	N	—
2	Delay	—	200	40N60000	N	—
3	Read Block	—	—	02100101	Y	—

#26 Seal 명령 2단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0010	11160000	N	—
2	Delay	—	200	40N60000	N	—

#27 Write Manufacturer Info A Length 명령 2단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Block	—	404010	12160000	N	—
2	Delay	—	200	40N60000	N	—

#28 Read Manufacturer Info A Length 명령 4단계 · 쓰기 3단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Block	—	404010	12160000	N	—
2	Delay	—	200	40N60000	N	—
3	Read Block	—	—	02120301	Y	—
4	Delay	—	200	40N60000	N	—

#29 PCM Manufacturer ID 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Block	—	4040	12160000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—
3	Read Block	—	—	02102601	Y	—

#30 PCM Connector Vendor ID 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Block	—	4040	12160000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—
3	Read Block	—	—	02102002	Y	—

#31 PCM H/W Version 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Block	—	4040	12160000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—
3	Read Block	—	—	02102202	Y	—

#32 PCM DF Version 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Block	—	4040	12160000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—
3	Read Block	—	—	02102402	Y	—

#33 PCM Reserved Value 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Block	—	4040	12160000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—
3	Read Block	—	—	02102702	Y	—

#34 Write H/P Barcode (HP)2 명령 3단계 · 쓰기 1단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Block (Replace)	—	—	12060000	N	—
2	Delay	—	1000	40N60000	N	—
3	Read Block	—	—	02030114	Y	—

#35 PCM Manufacture Date 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Block	—	4040	12140000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—
3	Read Block	—	—	02642902	Y	—

#36 PCM Manufacture SN 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Block	—	4040	12160000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—
3	Read Block	—	—	02513102	Y	—

#37 CT Label Info (Battery)_2 명령 3단계 · 쓰기 0단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Block	—	—	12160000	N	—
2	Delay	—	—	40N60000	N	—
3	Read Block	—	—	02120101	Y	—

#38 CT Label Info (Assembly Code)_2 명령 3단계 · 쓰기 0단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Block	—	—	12060000	N	—
2	Delay	—	—	40N60000	N	—
3	Read Block	—	—	02100304	Y	—

#39 CT Label Info (Revision Level)_2 명령 3단계 · 쓰기 0단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Block	—	—	12060000	N	—
2	Delay	—	—	40N60000	N	—
3	Read Block	—	—	02101102	Y	—

#40 CT Label Info (Supplier Site)_2 명령 3단계 · 쓰기 0단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Block	—	—	12060000	N	—
2	Delay	—	—	40N60000	N	—
3	Read Block	—	—	02101502	Y	—

#41 CT Label Info (Null)_2 명령 3단계 · 쓰기 0단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Block	—	—	12060000	N	—
2	Delay	—	—	40N60000	N	—
3	Read Block	—	—	02102902	Y	—

#42 Read Qmax cycle count 명령 5단계 · 쓰기 4단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Block	—	10430100	12160000	N	—
2	Delay	—	1000	40N60000	N	—
3	Write Block	—	0E43	12160000	N	—
4	Delay	—	100	40N60000	N	—
5	Read Block	—	—	02110301	Y	—

#43 Read cycle count 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Block	—	104301	12160000	N	—
2	Delay	—	1000	40N60000	N	—
3	Read Block	—	—	02110301	Y	—

#44 Write CUV recovery 명령 2단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Block	—	B149800C	12160000	N	—
2	Delay	—	1000	40N60000	N	—

#45 Read CUV recovery 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Block	—	B149800C	12060000	N	—
2	Delay	—	1000	40N60000	N	—
3	Read Block	—	—	02100102	Y	—

#46 Write CSP Configuration 1 명령 2단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Block	—	5D4A1B00	12160000	N	—
2	Delay	—	1000	40N60000	N	—

#47 Read CT Barcode (HP) 명령 1단계 · 쓰기 0단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Read Block	—	—	02030114	Y	—