222 BQ40Z453

칩셋 유형92

최종 수정Thuy / 20140905120350

이 칩셋을 사용하는 모델 9건 (TB_TEST_MODEL)

MODEL_ID	모델명	팩유형	셀구성
P21G0N-01-N01	AMOR2-13L	HP	0201
P21GBJ-02-N01	CONAN	HP	0201
P21GDJ-02-N01	EPIC13 2C-A	HP	0201
P21PL2-01-N01	NOBEL	HP	0201
P31GFT-02-N01	KATZ13 3C	HP	0302
P32GFF-01-N01	EPIC-R 6C	HP	0302
P41GCJ-01-N01	LARGO 4C	HP	0401
P41GCJ-02-N01	AIRFORCE 4C	HP	0401
P41PL2-01-N01	ODYSSEY 4C	HP	0401

쓰기(Write) 기본 항목 7건 (TB_WRITE_ITEM_BASIC)

ID	항목명
1	UNSEAL1
2	UNSEAL2
3	SEAL
4	BARCODE
5	CT_Label
6	Week
7	TODAY

검사 항목 138건 (TB_TEST_ITEM)

ID	항목명	단위	기본명령	복합명령	쓰기항목	쓰기데이터	변환식
10	Manufacture Access	—	Read Word	—	—	—	—
1	Chem DF Checksum	Hex	—	Chem DF Checksum	—	—	—
11	Pack Manufacture Date	yyyymmdd	Read Word	—	—	—	—
2	Chemistry ID	—	—	Chemistry ID	—	—	—
12	Operation Status	—	Read Block	—	—	—	—
3	FET CD(off,on)_CHA	mA	—	FET CD(off,on)_CHA	—	—	—
13	Pack Serial Number	num	Read Word	—	—	—	—
4	FET CD(on,off)_DCHA	mA	—	FET CD(on,off)_DCHA	—	—	—
14	PCM Manufacture Date	yyyymmdd	Read Block	—	—	—	—
5	FET CDP(off,off,on)_CHA	mA	—	FET CDP(off,off,on)_CHA	—	—	—
52	PCM Manufacture ID	—	Read Block	—	—	—	—
6	Fuse Blow Test	Hex	—	Fluse Blow Test	—	—	—
53	PCM DF Version	word	Read Block	—	—	—	—
7	FW Version	Hex	—	FW Version	—	—	—
15	PCM Serial Number	num	Read Block	—	—	—	—
8	IF Checksum	Hex	—	IF Checksum	—	—	—
16	Pack Manufacture Name	—	Read Block	—	—	—	—
9	Static DF Checksum	Hex	—	Static DF Checksum	—	—	—
17	Current Accuracy (Zero)	mA	Read Word	—	—	—	—
54	Voltage Accuracy (DVM-SMBus)	mV	—	Voltage Accuracy (DVM-SMBus)	—	—	—
18	IR Connector T-Pin	Ohm	Read THR(Resistor)	—	—	—	—
55	Voltage Deviation (MaxV-MinV)	mV	—	Voltage Deviation (MaxV-MinV)	—	—	—
19	Temperature (Ref)	'C	Read Temperature	—	—	—	—
56	Charge On( Condition 1SI)	—	Charge On (Condition 1)	—	—	—	—
20	Temperature (Pack)	'C	Read Word	—	—	—	—
57	Charge Off(Condition 1SI)	—	Charge Off (Condition 1)	—	—	—	—
21	IR Pack	mOhm	Read IR	—	—	—	—
58	DisCharge Off(Condition 1SI)	—	DisCharge Off (Condition 1)	—	—	—	—
22	Voltage Pack (DVM)	mV	Read Voltage	—	—	—	—
59	DisCharge On(Condition 1SI)	—	DisCharge On (Condition 1)	—	—	—	—
23	Voltage (Bank 1)	mV	Read Word	—	—	—	—
60	FET Discharge On(SI)	—	FET Discharge On	—	—	—	—
24	Voltage (Bank 2)	mV	Read Word	—	—	—	—
61	FET Discharge Off(SI)	—	FET Discharge Off	—	—	—	—
25	Voltage Pack (SMBus)	mV	Read Word	—	—	—	—
62	FET Charge On(SI)	—	FET Charge On	—	—	—	—
39	Check FET(on,on)	word	Read Block	—	—	—	—
63	FET Charge Off(SI)	—	FET Charge Off	—	—	—	—
41	Manufacturing Status	—	Read Block	—	—	—	—
71	Unseal	Hex	—	Unseal	—	—	—
42	Cycle Count	—	Read Word	—	—	—	—
72	Temperature (Pack)	'C	—	Temperature(pack)	—	—	—
43	FCC (mAh)	mAh	Read Word	—	—	—	—
73	Disable FET Control (Bq40z453)	—	—	Disable FET Control (Bq40z453)	—	—	—
44	RSOC	%	Read Word	—	—	—	—
74	Enable FET Control (Bq40z453)	—	—	Enable FET Control (Bq40z453)	—	—	—
45	At Rate	—	Read Word	—	—	—	—
75	FET CD(off,off)	—	—	FET CD(off,off)	—	—	—
46	Charging Current	mA	Read Word	—	—	—	—
76	FET CD(off,off)_ CHA	—	—	FET CD(off,off)_CHA	—	—	—
47	Charging Voltage	mV	Read Word	—	—	—	—
77	FET CD(off,off)_DCHA	—	—	FET CD(off,off)_DCHA	—	—	—
48	Design Capacity	mAh	Read Word	—	—	—	—
78	FET CDP(off,off,off)_CHA	—	—	FET CDP(off,off,off)_CHA	—	—	—
49	RCA	10mAh	Read Word	—	—	—	—
79	Shut Down	—	—	Shut down	—	—	—
50	RTA	min	Read Word	—	—	—	—
80	Voltage CHA(Bank 1)	—	Read Word	—	—	—	—
81	Voltage CHA(Bank 2)	—	Read Word	—	—	—	—
64	Delay	—	Delay	—	—	—	—
82	Voltage DCHA(Bank 1)	—	Read Word	—	—	—	—
69	Check FET(Off,Off)	—	Read Block	—	—	—	—
83	Voltage DCHA(Bank 2)	—	Read Word	—	—	—	—
70	Pack Terminal Voltage	mV	Read Voltage	—	—	—	—
84	Voltage DCHA(Bank 3)	—	Read Word	—	—	—	—
107	Enable FET Control (Bq40Z453)_	—	Echo	—	—	—	—
85	Voltage DCHA(Bank 4)	—	Read Word	—	—	—	—
108	FET CD(on,off)_DCHA_	—	Echo	—	—	—	—
86	Voltage CHA(Bank 3)	—	Read Word	—	—	—	—
109	FET CD(off,off)_DCHA_	—	Echo	—	—	—	—
87	Voltage CHA(Bank 4)	—	Read Word	—	—	—	—
110	FET CDP(off,off,on)_CHA_	—	Echo	—	—	—	—
88	Delay	ms	Delay	—	—	2000	—
111	FET CDP(off,off,off)_CHA_	—	Echo	—	—	—	—
91	Current Accuracy (CHA)	mA	—	Current Accuracy (CHA)	—	—	—
112	FET CD(off,on)_CHA_	—	Echo	—	—	—	—
92	Current Accuracy (DCHA)	mA	—	Current Accuracy (DCHA)	—	—	—
113	FET CD(off,off)_CHA_	—	Echo	—	—	—	—
93	Current Sum	—	—	Current Sum	—	—	—
114	Disable FET Control (Bq40z453)_	—	Echo	—	—	—	—
94	Bank 1 IR	mOhm	—	Clear Blackbox	—	—	—
115	FET Discharge On(SI)_	—	Echo	—	—	—	—
95	Bank 2 IR	mOhm	—	Clear Lifetime	—	—	—
116	FET Discharge Off(SI)_	—	Echo	—	—	—	—
96	Bank 3 IR	mOhm	—	—	—	—	—
117	FET Charge On(SI)_	—	Echo	—	—	—	—
97	Bank 4 IR	mOhm	—	—	—	—	—
118	FET Charge Off(SI)_	—	Echo	—	—	—	—
98	Mid Tab Test D	—	—	Mid Tab Test-D	—	—	—
119	Voltage (Bank 3)	mV	Read Word	—	—	—	—
99	Seal	—	—	Seal	—	—	—
120	Voltage (Bank 4)	mV	Read Word	—	—	—	—
100	Check Seal	—	—	Check Seal	—	—	—
124	Device Chemistry	—	Read Block	—	—	—	—
101	Operation Status 1	—	—	Operation Status (1)	—	—	—
125	PCM DF Version (Nobel test)	word	Read Block	—	—	—	—
102	Wakeup On	—	Wakeup On	—	—	—	—
126	PCM Manufacture ID(nobel test)	—	Read Block	—	—	—	—
103	Wakeup Off	—	Wakeup Off	—	—	—	—
131	PCM DF Version (EPIC)	word	Read Block	—	—	—	—
104	Reset	—	—	Reset	—	—	—
137	Pack IR-J	mOhm	Read IR	—	—	—	—
106	PF Clear	—	—	PF Clear	—	—	—
152	Pack Terminal Voltage	mV	Read Voltage	—	—	—	—
121	Charge current - U	mA	—	Charge current	—	—	—
122	Charge voltage - U	mV	—	Charge votlage	—	—	—
123	Temperature (Ref)	—	Read Temperature	—	—	—	—
127	Bank1_IR	mOhm	—	Clear Blackbox	—	—	—
128	Bank2_IR	mOhm	—	Clear Lifetime	—	—	—
129	Bank3_IR	mOhm	—	—	—	—	—
130	Bank4_IR	mOhm	—	—	—	—	—
132	Current Accuracy ( Zero )	mA	—	Current Accuracy (Zero)	—	—	—
133	Current Accuracy (DCHA)_TEST	—	—	Current Accuracy (DCHA test)	—	—	—
134	Temperature - Ref_test	—	—	Temperature - Ref [Thormistor]	—	—	—
135	Mid Tab Test	mV	—	Mid-Tab	—	—	—
138	Current Accuracy (CHA)	mA	—	Current Accuracy (CHA)	—	—	—
139	Current Accuracy (DCHA)	mA	—	Current Accuracy (DCHA)	—	—	—
140	Pack IR	mR	—	Pack IR	—	—	—
141	Static DF Checksum	—	—	Static DF Checksum [BQ]	—	—	—
142	Bank1_IR	mOhm	—	Clear Blackbox	—	—	—
143	Bank2_IR	mOhm	—	Clear Lifetime	—	—	—
144	Bank3_IR	mOhm	—	—	—	—	—
145	Bank4_IR	mOhm	—	—	—	—	—
146	Mid Tab Test D	—	—	Mid Tab Test-D	—	—	—
147	Bank1_IR_NJudgement	mOhm	—	Clear Blackbox	—	—	—
148	Bank2_IR_NJudgement	mOhm	—	Clear Lifetime	—	—	—
149	Bank3_IR_NJudgement	mOhm	—	—	—	—	—
150	Bank4_IR_NJudgement	mOhm	—	—	—	—	—
151	Mid Tab Test D_NJudgement	—	—	Mid Tab Test-D	—	—	—
153	Shut Down	—	—	Shut down	—	—	—
154	Pack Terminal Voltage	mV	—	Pack Terminal Voltage	—	—	—
155	Clear Blackbox	—	—	Clear Blackbox	—	—	—
156	Clear Lifetime	—	—	Clear Lifetime	—	—	—
157	CancelPF	—	—	—	—	—	—
158	Reset3	—	—	—	—	—	—
159	EnableCommand	—	—	—	—	—	—
160	PackDate_W	—	—	—	—	—	—
161	PackSN_W	—	—	—	—	—	—

복합(조합) 명령 50건 (TB_UNION_CODE_MST / DTL)

#2 FW Version 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0002	11160000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—
3	Read Block	—	—	02100302	Y	—

#3 IF Checksum 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0004	11160000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—
3	Read Block	—	—	02100000	Y	—

#4 Static DF Checksum 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0005	11160000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—
3	Read Block	—	—	02100000	Y	—

#5 Chem DF Checksum 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0008	11160000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—
3	Read Block	—	—	02100000	Y	—

#6 Chemistry ID 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0006	11160000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—
3	Read Block	—	—	03100000	Y	—

#7 FET CD(on,off)_DCHA 명령 3단계 · 쓰기 2단계 (1) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	001F	11160000	N	—
2	Delay	—	2000	40N60000	N	—
3	Read Word	—	—	01210000	Y	—

#8 FET CDP(off,off,on)_CHA 명령 5단계 · 쓰기 4단계 (1) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Delay	—	200	40N60000	N	—
2	Write Word	—	001E	11160000	N	—
3	Delay	—	1000	40N60000	N	—
4	Read Word	—	—	01210000	Y	—
5	Delay	—	1000	40N60000	N	—

#9 FET CD(off,on)_CHA 명령 3단계 · 쓰기 2단계 (1) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0020	11160000	N	—
2	Delay	—	1000	40N60000	N	—
3	Read Word	—	—	01210000	Y	—

#10 Fluse Blow Test 명령 4단계 · 쓰기 3단계 (1) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	001D	11160000	N	—
2	Delay	—	3000	40N60000	N	—
3	Read Block	—	—	03100102	Y	—
4	Delay	—	500	40N60000	N	—

#11 Voltage Accuracy (DVM-SMBus) 명령 2단계 · 쓰기 0단계 #(1,2) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Read Voltage	—	—	20110000	Y	—
2	Read Word	—	—	01310000	Y	—

#12 Voltage Deviation (MaxV-MinV) 명령 4단계 · 쓰기 0단계 #(1,2,3,4) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—
3	Echo	—	—	44N60000	Y	—
4	Echo	—	—	44N60000	Y	—

#13 Current Sum 명령 2단계 · 쓰기 0단계 -(1,2) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—

#14 Bank 1 IR 명령 3단계 · 쓰기 0단계 *(/(#(1,2),3),(?1000)) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—
3	Echo	—	—	44N60000	Y	—

#15 Bank 2 IR 명령 3단계 · 쓰기 0단계 *(/(#(1,2),3),(?1000)) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—
3	Echo	—	—	44N60000	Y	—

#16 Mid Tab Test-D 명령 4단계 · 쓰기 0단계 #(1,2,3,4) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—
3	Echo	—	—	44N60000	Y	—
4	Echo	—	—	44N60000	Y	—

#17 Unseal 명령 4단계 · 쓰기 4단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0414	11160000	N	—
2	Delay	—	50	40N60000	N	—
3	Write Word	—	3672	11160000	N	—
4	Delay	—	50	40N60000	N	—

#18 Temperature(pack) 명령 2단계 · 쓰기 0단계 J(1)(2) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Read Temperature	—	—	20460000	Y	—
2	Read Word	—	—	01440000	Y	—

#19 Enable FET Control (Bq40z453) 명령 2단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0022	11160000	N	—
2	Delay	—	300	40N60000	N	—

#20 Disable FET Control (Bq40z453) 명령 2단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0022	11160000	N	—
2	Delay	—	300	40N60000	N	—

#21 FET CD(off,off) 명령 2단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0022	11160000	N	—
2	Delay	—	1000	40N60000	N	—

#22 FET CD(off,off)_DCHA 명령 2단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	001F	11160000	N	—
2	Delay	—	1000	40N60000	N	—

#23 FET CD(off,off)_CHA 명령 2단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0020	11160000	N	—
2	Delay	—	1000	40N60000	N	—

#24 FET CDP(off,off,off)_CHA 명령 2단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	001E	11160000	N	—
2	Delay	—	1000	40N60000	N	—

#25 Shut down 명령 6단계 · 쓰기 6단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0010	11160000	N	—
2	Delay	—	200	40N60000	N	—
3	Write Word	—	0010	11160000	N	—
4	Delay	—	200	40N60000	N	—
5	Write Word	—	0010	11160000	N	—
6	Delay	—	3000	40N60000	N	—

#26 Bank 3 IR 명령 3단계 · 쓰기 0단계 *(/(#(1,2),3),(?1000)) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—
3	Echo	—	—	44N60000	Y	—

#27 Bank 4 IR 명령 3단계 · 쓰기 0단계 *(/(#(1,2),3),(?1000)) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—
3	Echo	—	—	44N60000	Y	—

#28 Seal 명령 2단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0030	11160000	N	—
2	Delay	—	200	40N60000	N	—

#29 Check Seal 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0054	11160000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—
3	Read Block	—	—	02100102	Y	—

#30 Operation Status (1) 명령 9단계 · 쓰기 8단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Delay	—	500	4NN60000	N	—
2	Write Word	—	001D	11110000	N	—
3	Delay	—	100	4NN60000	N	—
4	Write Word	—	0029	11110000	N	—
5	Delay	—	100	4NN60000	N	—
6	Write Word	—	0022	11160000	N	—
7	Delay	—	4000	40N60000	N	—
8	Read Block	—	—	02100102	Y	—
9	Delay	—	100	40N60000	N	—

#31 Reset 명령 2단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0041	11160000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—

#32 PF Clear 명령 4단계 · 쓰기 4단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0021	11160000	N	—
2	Delay	—	200	40N60000	N	—
3	Write Word	—	0022	11160000	N	—
4	Delay	—	200	40N60000	N	—

#33 Charge current 명령 2단계 · 쓰기 1단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Delay	—	500	40N60000	N	—
2	Read Word	—	—	01210000	Y	—

#34 Charge votlage 명령 2단계 · 쓰기 1단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Delay	—	500	40N60000	N	—
2	Read Word	—	—	01310000	Y	—

#35 temperature - fix 명령 1단계 · 쓰기 0단계 (?26) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	4NN60000	Y	—

#36 Clear Blackbox 명령 2단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	002A	44N60000	N	—
2	Delay	—	200	44N60000	N	—

#37 Clear Lifetime 명령 2단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0028	44N60000	N	—
2	Delay	—	200	44N60000	N	—

#40 Current Accuracy (Zero) 명령 2단계 · 쓰기 1단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Delay	—	3000	40N60000	N	—
2	Read Word	—	—	01210000	Y	—

#41 Current Accuracy (DCHA test) 명령 2단계 · 쓰기 1단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Delay	—	2000	40N60000	N	—
2	Read Word	—	—	01210000	Y	—

#42 Mid-Tab 명령 1단계 · 쓰기 0단계 MIDTAB(11,12,13,14,15,16,17,18,19,20) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	4NN10000	Y	—

#43 Temperature - Ref [Thormistor] 명령 1단계 · 쓰기 0단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Read THR(Thermistor)	—	—	20410000	Y	—

#44 Mid Tab Test_Epic 2C 명령 4단계 · 쓰기 0단계 #(-(1,3),-(2,4)) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—
3	Echo	—	—	44N60000	Y	—
4	Echo	—	—	44N60000	Y	—

#45 Mid Tab Test_Epic 6C 명령 4단계 · 쓰기 0단계 #(-(1,3),-(2,4)) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Echo	—	—	44N60000	Y	—
2	Echo	—	—	44N60000	Y	—
3	Echo	—	—	44N60000	Y	—
4	Echo	—	—	44N60000	Y	—

#46 Current Accuracy (CHA) 명령 6단계 · 쓰기 3단계 M(1,2,3) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Delay	—	10	40N60000	N	—
2	Read Word	—	—	01210000	Y	—
3	Delay	—	20	40N60000	N	—
4	Read Word	—	—	01210000	Y	—
5	Delay	—	130	40N60000	N	—
6	Read Word	—	—	01210000	Y	—

#47 Current Accuracy (DCHA) 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Delay	—	100	40N60000	N	—
2	Read Word	—	—	01210000	Y	—
3	Delay	—	100	40N60000	N	—

#48 Pack IR 명령 6단계 · 쓰기 3단계 /(+(1,2,3),(?3)) 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Read IR	—	—	20210000	Y	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—
3	Read IR	—	—	20210000	Y	—
4	Delay	—	100	4NN60000	N	—
5	Read IR	—	—	20210000	Y	—
6	Delay	—	100	4NN60000	N	—

#49 Static DF Checksum [BQ] 명령 3단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0005	11160000	N	—
2	Delay	—	100	40N60000	N	—
3	Read Block	—	—	03100000	Y	—

#50 Shut down 명령 4단계 · 쓰기 4단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	—	0010	11160000	N	—
2	Delay	—	200	40N60000	N	—
3	Write Word	—	0010	11160000	N	—
4	Delay	—	2200	40N60000	N	—

#51 Pack Terminal Voltage 명령 1단계 · 쓰기 0단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Read Voltage	—	—	20110000	Y	—

#52 Pack Date_W 명령 2단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	BARCODE	—	11N11406	N	—
2	Delay	—	500	40N60000	N	—

#53 Pack SN_W 명령 2단계 · 쓰기 2단계 🛠️ 에디터 화면 보기

순번	기본명령	쓰기항목	쓰기데이터	코드정의	수행여부	변환식
1	Write Word	BARCODE	—	11N62305	N	—
2	Delay	—	500	40N60000	N	—